在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
沉淀反应中抗原过量的现象称为( )A.后带B.前带C.高带D.等价带E.不等价带
抗原抗体反应中，抗体过剩时的沉淀反应称为（ ）。A、前带B、后带C、带现象D、等价带E、前后带
沉淀反应中抗体过量的现象称为A、前带B、后带C、带现象D、等价带E、拖尾现象
沉淀反应中抗原过量的现象称为A、前带B、后带C、带现象D、等价带E、拖尾现象
非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
抗体过剩时称为 A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和等价带E.等价带
因抗原抗体比例不恰当而不出现沉淀的现象称为A.等价带B.带现象C.后带 因抗原抗体比例不恰当而不出现沉淀的现象称为A.等价带B.带现象C.后带D.前带E.中带
若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
抗原抗体反应中，抗体严重过剩的现象称为（）。A、带现象B、等价带C、前带D、后带E、平衡带
沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A、后带B、前带C、高带D、等价带E、不等价带
抗原抗体比例不适合出现的沉淀现象称为（）A、等价带B、带现象C、前带D、后带E、中带
抗体过剩时称为（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
导带忠的电子和价带忠的空穴复合时主要以（）释放能量。A、辐射复合B、俄歇复合C、通过复合中心复合D、以上三种都可以
入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。
为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
单选题重空穴指的是（）。A质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
单选题沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A后带B前带C高带D等价带E不等价带
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题抗原抗体反应中，抗体严重过剩的现象称为（）A带现象B等价带C前带D后带E平衡带
单选题抗体过剩时称为（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带
单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A电子为多子B空穴为少子C能带图中施主能级靠近于导带底D能带图中受主能级靠近于价带顶
单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带，这一过程称为（）A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D晶格吸收
单选题掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为（）A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D晶格吸收
单选题电子亲和势，是指电子从（）到真空能级的能级差。A导带底能级B价带顶能级C费米能级D施主能级