3、关于“载流子的漂移运动”,以下说法正确的是:A.载流子在电场作用下的定向运动。B.就只是载流子的无规则热运动。C.就只是载流子在电场作用下的加速运动。D.漂移速度是一个平均值,且是一个有限值。E.电子和空穴的漂移运动方向相反,但形成的漂移电流密度都与电场方向一致。

3、关于“载流子的漂移运动”,以下说法正确的是:

A.载流子在电场作用下的定向运动。

B.就只是载流子的无规则热运动。

C.就只是载流子在电场作用下的加速运动。

D.漂移速度是一个平均值,且是一个有限值。

E.电子和空穴的漂移运动方向相反,但形成的漂移电流密度都与电场方向一致。


参考答案和解析
载流子在电场作用下的定向运动。;漂移速度是一个平均值,且是一个有限值。;电子和空穴的漂移运动方向相反,但形成的漂移电流密度都与电场方向一致 。

相关考题:

载流子的漂移运动与扩散运动方向相同。() 此题为判断题(对,错)。

PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成

船舶航行中受风作用,关于向下风方向漂移的速度,以下说法正确的是( )。 A、与相对风速成正比B、船速越快,漂移速度越大C、与吃水无关D、以上说法均正确

载流子从浓度大的地方向浓度小的地方运动称为()。 A、漂移运动B、扩散运动

8)在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。( )

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

PN宽度稳定后,()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动

PN结的宽度稳定后()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡

半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子

漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。

漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。

PN结中进行着两种载流子的运动:多数载流子的()运动和少数载流子的()运动。

PN结中载流子的漂移运动是由于()而产生的。

PN结反偏时,内电场与外电场的方向(),空间电荷区变(),有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。

在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于()而产生的,漂移运动是()作用下产生的。

二极管加正向电压时,其正向电流是由()。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成

在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是()作用下产生的,漂移运动是()作用下产生的。

二极管加正向电压时,其正向是由()。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成

场效应管漏极电流由()的漂移运动形成。A、少子B、电子C、多子D、两种载流子

载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。A、漂移B、隧道C、扩散

在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。

单选题载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。A漂移B隧道C扩散

填空题漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。

单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

填空题PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向(),有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。

填空题迁移率反映的是载流子()在单位电场作用下的平均漂移速度。