8)在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。( )

8)在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。( )


参考解析

解析:

相关考题:

PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成

PN结是()形成的。 A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上,多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上,少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散

当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子,也有少数载流子

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

PN结加反向电压(数值小于击穿电压)时:()。A、空间电荷区变宽,漂移运动大于扩散运动B、空间电荷区变窄,漂移运动大于扩散运动C、空间电荷区变窄,扩散运动大于漂移运动D、空间电荷区变宽,扩散运动大于漂移运动

PN宽度稳定后,()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动

PN结的宽度稳定后()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡

当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是()A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。A、不一定B、少数载流子C、既有多数载流子,又有少数载流子D、多数载流子

在PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子,又有少数载流子D、不一定

PN结中P区的多数载流子是(),N区的多数载流子是()。

PN结中进行着两种载流子的运动:多数载流子的()运动和少数载流子的()运动。

PN结反偏时,内电场与外电场的方向(),空间电荷区变(),有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。

在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于()而产生的,漂移运动是()作用下产生的。

对PN结施加反向电压时,参与导电的是()A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

二极管加正向电压时,其正向电流是由()。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成

在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是()作用下产生的,漂移运动是()作用下产生的。

二极管加正向电压时,其正向是由()。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成

载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。A、漂移B、隧道C、扩散

在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。

单选题载流子的扩散运动产生扩散电流,漂移运动产生()电流。A漂移B隧道C扩散

单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

填空题PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。

填空题PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向(),有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。

单选题当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。A不一定B少数载流子C既有多数载流子,又有少数载流子D多数载流子