金属半导体接触形成欧姆接触的主要机理是（）。A．整流效应B．雪崩效应C．隧道效应D．以上都不对

金属半导体接触形成欧姆接触的主要机理是（）。

A．整流效应

B．雪崩效应

C．隧道效应

D．以上都不对

参考答案和解析
在不考虑表面态的时候，重掺杂的pn结可以产生显著的隧道电流。金属和半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度很薄，电子也要通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时，它的接触电阻可以很小，可以用作欧姆接触。所以，当半导体重掺杂时，它与金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触。

相关考题：

有关肖特基二极管的特点描述错误的是()。 A.以金属和半导体接触形成的势垒为基础B.反向恢复时间短C.正向恢复过程没有明显的电压过冲D.主要应用于高频整流和逆变电路中
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金属保温窗的主要问题是结露，应（ ）。A．将与室外接触的金属框和玻璃接合处，做断桥处理B．将与室内接触的金属框和金属框接合处，做断桥处理C．将与室内接触的金属框和墙体接合处，做断桥处理D．将与室外接触的金属框和墙体接合处，做断桥处理
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以下关于接触电阻说法正确的是( ).A.当两个金属导体互相接触时，在接触区域内存在着一个附加电阻B.在一个金属导体内存在一定的内阻，称为接触电阻C.当两个半导体互相接触时，在接触区域内存在着一个附加电阻D.任何两种物质接触时，都会产生电阻，称为接触电阻
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半导体和金属导体的导电机理有什么不同?
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点接触型二极管由于金属丝和半导体的接触面很小,所以形成的电容()。 A、较大B、较小C、很大D、很小
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为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。A、低电阻率B、易与p或n型硅形成欧姆接触C、可与硅或二氧化硅反应D、易于光刻E、便于进行键合
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据渗透破坏的机理，渗透破坏的形式主要有流土、（）、接触流失和接触冲刷。
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深层过滤颗粒去除的主要机理是（）。A、机械筛除B、接触凝聚C、颗粒迁移D、颗粒吸附
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由于不同金属接触在一起而形成（）腐蚀电池。
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缓蚀剂的作用机理是缓蚀剂分子在金属表面形成保护膜，隔绝（）等腐蚀性的气体与钢材的接触，延长钢材的使用寿命。A、天然气B、硫化氢C、水D、甲烷
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半导体和金属实现欧姆接触的条件是什么？
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简述弓网接触点发热引起接触线断线的机理。
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点接触型二极管由于金属丝和半导体间接触面很小，所以形成的电容就（）。A、很大B、很小C、较大D、不确定
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金属表层的磨损按机理之不同，磨损大致可分为（）A、黏着磨损B、腐蚀磨损C、接触疲劳磨损D、复合磨损
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本征半导体与金属导电机理的最大区别在于半导体同时存在二种载流子。
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以下关于接触电阻说法正确的是（）.A、当两个金属导体互相接触时，在接触区域内存在着一个附加电阻B、在一个金属导体内存在一定的内阻，称为接触电阻C、当两个半导体互相接触时，在接触区域内存在着一个附加电阻D、任何两种物质接触时，都会产生电阻，称为接触电阻
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大部分缓蚀剂的缓蚀机理是与腐蚀介质接触的金属表面形成一层（），达到将金属和介质（），以达到缓蚀目的。A、分离膜；分离B、亲和膜；隔离C、保护膜；隔离D、保护膜；分离
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将一块N型半导体和一块P型半导体相互接触，在其接触面上会形成一个PN结。
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填空题金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度 低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度 高于（）时 可实现（）。
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填空题肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。
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问答题高温熔融金属与水接触作用机理。
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单选题大部分缓蚀剂的缓蚀机理是与腐蚀介质接触的金属表面形成一层（），达到将金属和介质（），以达到缓蚀目的。A分离膜；分离B亲和膜；隔离C保护膜；隔离D保护膜；分离
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问答题列举两种典型的金属与半导体接触。
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填空题据渗透破坏的机理，渗透破坏的形式主要有流土、（）、接触流失和接触冲刷。
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问答题什么是欧姆接触和肖特基接触？
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问答题金属-半导体接触时，请基于溢出功大小阐述接触电效应假
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问答题何谓欧姆接触？
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问答题解释欧姆型接触和肖特基型接触。
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