为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。A、低电阻率B、易与p或n型硅形成欧姆接触C、可与硅或二氧化硅反应D、易于光刻E、便于进行键合

为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。

  • A、低电阻率
  • B、易与p或n型硅形成欧姆接触
  • C、可与硅或二氧化硅反应
  • D、易于光刻
  • E、便于进行键合

相关考题：

在纯净的半导体硅中加人少量的三价元素,形成()。 A.P型半导体B.N型半导体C.绝缘体D.导体
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硅太阳能电池是以n型硅半导体作基体，再用掺杂的方法在其表面制作一层薄的×××型硅半导体构成。
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根据焊接材料的选用原则，对低碳钢、低合金钢进行焊接，应选用的焊剂为（　）。 A、无锰、无硅型焊剂 B、低锰、低硅型焊剂 C、中锰、中硅型焊剂 D、高锰、高硅型焊剂
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选择围堰类型时，必须根据当时当地具体条件，在满足()的原则下进行。A、具有良好的技术经济指标B、安全可靠，能满足稳定、抗渗、抗冲要求C、结构简单，施工方便，易于拆除D、充分考虑材料回收利用E、堰基易于处理，堰体便于与岸坡或已有建筑物连接
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由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A、“M”型B、“N”型C、“L”型D、“P”型E、“F”型
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属于铝的性质有（）。A、电阻低B、抗电迁移特性好C、对硅氧化物有很好的黏合性D、有很高的纯度E、易于光刻
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可采取下列方法降低接地电阻：（）。A、将垂直接地体深埋到低电阻率的土壤中或扩大接地体与土壤的接触面积B、置换成低电阻率的土壤C、采用降阻剂或新型接地材料D、采用多根导体外引
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由自由电子参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A、“M”型B、“N”型C、“L”型D、“P”型E、“F”型
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可控硅是一种按P—N—P—N型次序排列的四层硅半导体器件。（）
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在纯净的半导体硅中加人少量的三价元素，形成（）。 A、P型半导体B、N型半导体C、绝缘体
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在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A、三价B、四价C、五价
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在本征硅（或锗）中掺入微量的（）价元素，便可形成N型半导体。A、五B、四C、三D、二
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将硼元素掺进硅晶体内，则成为何种半导体？（）A、N型B、P型C、本质型半导体D、NPN型
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非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种？（）A、梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极B、梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SSC、梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃D、梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS
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在纯净的半导体硅中加入少量的三价元素，形成（）。A、P型半导体B、N型半导体C、绝缘体D、导体
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为了增大霍尔元件的灵敏度，霍尔元件多选用（）制作。A、金属材料B、绝缘材料C、N型半导体D、P型半导体
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在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。
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电阻器是利用金属或非金属材料的电阻特性制成的器件。
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金属材料其价电子数越高，则参与导电的电子数越多，电阻率越低。
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单选题在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A三价B四价C五价
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填空题肖特基接触呈现（），肖特基结的高低由（）差决定；欧姆接触呈现（）特性，接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现（），所以，源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于（）。
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单选题由空穴参与导电并形成电流的硅晶体称为（）硅晶体。A“M”型B“N”型C“L”型D“P”型E“F”型
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单选题硅光电二极管与硅光电池比较，后者（）。A掺杂浓度低B电阻率低C反偏工作D光敏面积小
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判断题电阻器是利用金属或非金属材料的电阻特性制成的器件。A对B错
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判断题接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。A对B错
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判断题相同掺杂浓度下，多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。A对B错
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多选题可采取下列方法降低接地电阻：（）。A将垂直接地体深埋到低电阻率的土壤中或扩大接地体与土壤的接触面积B置换成低电阻率的土壤C采用降阻剂或新型接地材料D采用多根导体外引
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