从制造工艺上考虑，双极型的存储器比MOS型的存储器功耗低，集成度高。
从制造工艺上考虑，双极型的存储器比MOS型的存储器功耗低，集成度高。
参考答案和解析
错误
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下面关于位片式微处理器描述错误的是()。 A、片式微处理器相较MOS型微处理器速度快B、位片式微处理器相较MOS型微处理器功耗更小C、无数位片式微处理器采用双极型工艺D、位片式微处理器具有CPU一切必要的部件
● 下列关于静态存储器 （SRAM） 和动态存储器 （DRAM） 的叙述中， 不正确的是 （9） 。（9）A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高B. DRAM 就是通常说的内存C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低D. SRAM 只要不断电，数据就能永久保存
以下关于主流固态硬盘的叙述中，正确的是（）。A.存储介质是磁表面存储器，比机械硬盘功耗高B.存储介质是磁表面存储器，比机械硬盘功耗低C.存储介质是闪存芯片，比机械硬盘功耗高D.存储介质是闪存芯片，比机械硬盘功耗低
和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
下面关于存储器的叙述中，错误的是（）。A.DDR SDRAM中的DDR是指双倍数据速率B.DDR2 SDRAM可预读取2位数据C.磁性随机存取存储器MRAM是一种非易失性存储器，拥有SRAM的高速存取能力，以及DRAM的高集成度D.铁电存储器FRAM既具有只读存储器非易失性的特点，又具有随机存储器可快速随机读写的特点，而且速度快，功耗低
下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
问答题请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。
单选题与动态MOS存储器相比，双极性半导体存储器的特点是（）A速度快，功耗小B集成度高C速度慢D容量大