MOS电路与TTL电路相比，其主要优点是（）。A、价格便宜B、集成度高C、速度快D、功耗小

MOS电路与TTL电路相比，其主要优点是（）。

  • A、价格便宜
  • B、集成度高
  • C、速度快
  • D、功耗小

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和CMOS门相比,TTL逻辑门具有工作()的特点。 A、速度快，功耗大B、速度快，功耗小C、速度慢，功耗小
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相同逻辑功能的TTL电路和CMOS电路相比,前者功耗大。() 此题为判断题(对，错)。
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CMOS 数字集成电路与 TTL 数字集成电路相比突出的优点是()。 A.微功耗B.高速度C.高抗干扰能力D.电源范围宽
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动态MOSRAM的优点是()A、单元电路结构简单B、单片集成度高C、功耗比静态MOSRAM低D、不需要刷新和再生操作
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TTL门电路与分立元件相比的优点?_________ A.速度快B.可靠性高C.微型化D.大型化
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和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
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与动态MOS存储器相比，双极性半导体存储器的特点是（）A、速度快，功耗小B、集成度高C、速度慢D、容量大
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集成电路74LS系列表示（）。A、高速肖特基TTL电路B、低功耗肖特基TTL电路C、低速肖特基TTL电路D、高低功耗肖特基TTL电路
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HTL与非门与TTL与非门相比（）A、HTL比TTL集成度高B、HTL比TTL作速度快C、HTL比TTL抗干扰能力强
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下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
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与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。A、速度快B、集成度高C、功耗大
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SRAM比DRAM电路简单，集成度高，功耗低。
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CMOS电路与TTL电路相比，具备以下特点（）。A、输入电阻大B、功耗低C、电源电压范围宽D、以上都具备
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COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点（）。A、静态功耗低，电源电压范围宽B、输入阻抗高，扇出能力强C、抗干扰能力强，逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路，功耗随频率的升高显著增大
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与TTL相比，CMOS集成电路主要优点有：（）、（）、（）、（）、（）等。
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CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽
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与TTL电路相比，CMOS电路的特点是（）A、噪声容限低B、电源适用范围宽C、功耗极低D、扇出能力强
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下列说法错误的是（）。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
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CMOS电路的工作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。
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与TTL集成电路相比，CMOS集成电路（）。A、功耗更大B、材料不同C、工艺相同D、以上都不正确
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与TTL电路相比，ECL门电路的特点是（）。A、高速B、功耗大C、电压摆幅较小D、以上都正确
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单选题集成电路74LS系列表示（）。A高速肖特基TTL电路B低功耗肖特基TTL电路C低速肖特基TTL电路D高低功耗肖特基TTL电路
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多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽
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判断题集成电路的优点：体积小、重量轻；功耗小、成本低；速度快、可靠性高。A对B错
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单选题与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。A速度快B集成度高C功耗大
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判断题集成电路的优点：体积大、重量重；功耗小、成本高；速度快、可靠性低。A对B错
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单选题与动态MOS存储器相比，双极性半导体存储器的特点是（）A速度快，功耗小B集成度高C速度慢D容量大
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