34、MOS晶体管漏源之间能够导电的前提，是存在导电沟道。如果导电沟道夹断，则无法导电，漏源电流IDS为零。
34、MOS晶体管漏源之间能够导电的前提，是存在导电沟道。如果导电沟道夹断，则无法导电，漏源电流IDS为零。
参考答案和解析
错误
相关考题：
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管；B、晶体三极管；C、场效应晶体管；D、双向晶闸管。
单选题（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A半导体二极管；B晶体三极管；C场效应晶体管；D双向晶闸管。
问答题简述MOS管的导电沟道是如何形成的。