结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。
单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
按照导电沟道的不同，MOS管可分为（）。A、NMOSB、PMOSC、CMOSD、DMOSE、SMOS
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
场效应管的类型按沟道分为（）型和（）型；按结构分有（）型和（）型；按uGS=0时有无导电沟道分为（）型和（）型。
场效应管从结构上看可分成（）和（）两大类型，它们的导电过程仅仅取决于（）载流子的流动。
结型场效应管的基本工作原理是（）A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积
MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。
根据岩石导电方式的不同，把岩石分为：电子导电类型的岩石（）和离子导电类型的岩石（）。
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
晶体管从结构上可分成（）和（）两种类型，根据半导体材料不同可分为（）和（）管。它们工作时有（）和（）两种载流子参与导电，常称之为双极型晶体管。
晶体管从结构上可以分成（）和（）两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。
MOS管是用（）、（）和（）材料制成的。按沟道类型分有（）和（）两类，其每一类又可分（）为和（）两种。
双极型三极管有两种载流子导电，即（）和（）导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即（）导电。
晶体管从结构上可以分成（）与（）两种类型，它工作时有（）载流子参与导电。
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
问答题按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？