绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载
（）不是场效应管的电极.A、阳极B、源极C、漏极D、栅极
在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
集电极开路输出的TTL门电路需要（）电阻，接在输出端和+5V电源之间。A、集电极B、基极C、发射极D、栅极
MOS管的栅极可与双极型三极管的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射集D、发射极或集电极
静态RAM的基本存储电路，是由6个MOS管组成的（）来存储信息的；动态RAM芯片是以MOS管栅极（）是否充有电荷来存储信息的。
MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
场效应管闪烁噪声是由于（）而引起的。A、沟通电阻B、栅极内的电荷不规则起伏C、PN结的表面发生复合、雪崩D、栅极感应
MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。
绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A、栅极（G）B、漏极D.C、C.基极D、源极（S）
要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压
由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效就管不能组成复合管。
IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极 栅极C、栅极、源极 漏极D、发射极、栅极、集电极
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极
源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。A、对地阻抗极大B、对地有数uF的电容C、对地有很高的电压D、以上都正确
绝缘栅型场效应管的输入电阻特别高，当栅极悬空时，在栅极感应出的电荷很难泄放，由于极间电容较小，少量电荷就会使栅级产生较高的电压，因此栅极必须悬空。
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A阳极、阴极、门极B阳极、阴极 栅极C栅极、源极 漏极D发射极、栅极、集电极
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
填空题绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
单选题MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A栅极（G）B漏极D.CC.基极D源极（S）