在变频技术中,绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是:() A.GTOB.MOSFETC.PICD.IGBT
绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。() 此题为判断题(对，错)。
IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。 A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT
试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。
IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是(); A.输出饱和压降低；B.输入阻抗高；C.开关速度高；D.通态度损耗小；
与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。
绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。A、GTOB、MOSFETC、IPMD、GBT
功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
IGBT是绝缘栅型双极性晶体管，它的特性是（）；A、输出饱和压降低；B、输入阻抗高；C、开关速度高；D、通态度损耗小；
MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。
绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
绝缘栅双级晶体管具有速度快，输入阻抗高，通态电压（），耐压高，电容量大的特点。
绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。A、GTOB、GTRC、二极管D、GBT
问答题简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么？
多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A对B错
判断题绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。A对B错
多选题IGBT是绝缘栅型双极性晶体管，它的特性是（）；A输出饱和压降低；B输入阻抗高；C开关速度高；D通态度损耗小；
判断题绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。A对B错
单选题绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。A对B错