双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。


相关考题:

绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。() 此题为判断题(对,错)。

IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0

功率开关器件可以说是开关电源的心脏,下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的()。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管

已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

电力晶体管(GTR)是一咱比极型大功率反压晶体管,GTR在应用中应特别注意()。

MOSFET晶体管属于()器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004

双极型晶体管是()控制器件,单极型晶体管是()控制器件。

MOSFET属于双极型器件。

绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

IGBT是一个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

电力电子器件GTR为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。

GTR是一种()晶体管.A、双极型B、单极型C、混合型D、三极型

电力电子器件P-MOSFET为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

下列器件中,()集MOSFET和功率晶体管的优点于一身。A、晶闸管B、GTOC、IGBTD、IPM

单选题GTR是一种()晶体管.A双极型B单极型C混合型D三极型

判断题MOSFET属于双极型器件。A对B错

多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于()器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型

填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A对B错

判断题绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。A对B错

多选题电力电子器件GTR为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型

问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是MCT。A对B错