关于MOSFET模型论述错误的是________A．体电荷模型中,无统一的VT;B．与体电荷模型相比,平方律简单模型高估了VDSat;C．体电荷模型中,衬底掺杂浓度越高,其预测的IDS与平方律简单模型相比误差越低;D．与体电荷模型相比,平方律简单模型高估了漏源电流IDS;

关于MOSFET模型论述错误的是________

A．体电荷模型中,无统一的VT;

B．与体电荷模型相比,平方律简单模型高估了VDSat;

C．体电荷模型中,衬底掺杂浓度越高,其预测的IDS与平方律简单模型相比误差越低;

D．与体电荷模型相比,平方律简单模型高估了漏源电流IDS;

参考答案和解析
体电荷模型中,衬底掺杂浓度越高,其预测的 与平方律简单模型相比误差越低

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