表面吸附是晶型沉淀引入杂质的主要原因。

表面吸附是晶型沉淀引入杂质的主要原因。


参考答案和解析
错误

相关考题:

用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质

洗涤沉淀是为了洗去表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液。此题为判断题(对,错)。

沉淀重量法在进行沉淀反应时,某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象叫()现象,其产生原因除表面吸附、生成混晶外还有()和()。

如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,就可能形成()。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶

陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子,但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。()

洗涤沉淀的目的是为了除去混杂在沉淀中的母液和吸附在沉淀表面上的杂质。

造成后沉淀的原因,说法错误的是()。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液

洗涤沉淀是为了洗去表面吸附的杂质及混杂在沉淀中的母液。

下列有关洗涤沉淀的叙述,错误的是()。A、洗涤目的是洗去沉淀表面吸附的杂质B、洗涤目的是洗去沉淀的吸留或混晶的杂质C、洗涤的次数愈多,洗涤效果愈好,但沉淀损失也愈多D、洗涤溶液用量愈多,洗涤效果愈好。

表面吸附与下列()因素无关。A、杂质浓度B、沉淀的总表面积C、溶液温度D、容器大小

沉淀表面吸附的杂质的浓度与吸附量的关系是()。A、浓度越大,吸附量越多B、浓度越大,吸附量越少C、浓度越小,吸附量越多D、没有关系

在重量分析中,下面说法()是错误的。A、杂质浓度越大,则吸附杂质的量越多B、同质量的沉淀,颗粒越大,则总表面越大,吸附杂质的量越多C、溶液温度升高,吸附杂质的量减少D、沉淀剂加入过快时,沉淀迅速长大,易使得杂质离子被包藏在沉淀内部

下列有关沉淀纯净叙述错误的是()。A、洗涤可减免吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、易生成混晶的杂质应事先分离除去D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀

沉淀称量法中,洗涤沉淀的目的是为了除去混杂在沉淀中的母液和吸附在沉淀表面上的杂质,以及产生共沉淀的其他离子。

沉淀被沾污的原因有()A、表面吸附B、混晶C、包藏D、后沉淀

重量分析中,沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污,沉淀表面最优先吸附的离子是()A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子

如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶

洗涤沉淀的目的是为了洗去()。A、沉淀剂B、沉淀表面吸附的杂质C、沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D、混杂在沉淀中的母液

沉淀陈化的作用是()A、使沉淀作用完全B、加快沉淀速度C、使小晶粒转化为大晶粒D、除去表面吸附的杂质

下面影响沉淀纯度的叙述不正确的是()。A、溶液中杂质含量越大,表面吸附杂质的量越大B、温度越高,沉淀吸附杂质的量越大C、后沉淀随陈化时间增长而增加D、温度升高,后沉淀现象增大

如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀

沉淀表面吸附的选择规律?如何减少表面吸附杂质?

重量分析中,若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀

多选题沉淀被沾污的原因有()A表面吸附B混晶C包藏D后沉淀

单选题重量分析中,沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污,沉淀表面最优先吸附的离子是()A构晶离子B高价离子C极化程度大的离子D浓度大的离子

单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A后沉淀B机械吸留C包藏D混晶

单选题洗涤沉淀的目的是为了洗去()。A沉淀剂B沉淀表面吸附的杂质C沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D混杂在沉淀中的母液

单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A表面吸附B混晶C机械吸留D后沉淀