正态频率曲线中包含的统计参数分别是()。A、均值B、离势系数C、均方差D、偏态系数
微粒的物理稳定性取决于总势能曲线上势垒大小，当势垒为零时，微粒会发生聚结。( )此题为判断题(对，错)。
选择皮尔逊Ⅲ型曲线的三个统计参数：X，CV，CS其分别代表（）。A、离势系数，均值，偏态系数B、均值，偏态系数，离势系数C、均值，离势系数，偏态系数
水文资料分析中，PIII型曲线的三个统计参数X、Cv、Cs分别代表（）。A、离势系数、均值、偏态系数B、均值、离势系统、偏态系数C、偏态系数、均值、离势系数
在成核－生长机制的液－固相变过程中，其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较，有如下关系（）。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒＝均匀成核势垒D、视具体情况而定，以上三种均可能。
调幅分解又称（）分解、或（）分解、或（）分解。（）分解没有形核势垒，是无核相变，通过上坡扩散，最后形成稳定的两相结构。
活度为化学势的度量，体系处于一定的状态其化学势仅由状态所决定，与标准态的选择无关，因而其活度也与标准态的选择无关。
液-固相变时，非均匀成核位垒与接触角θ有关，当θ为（）时，非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。
均匀成核时，临界成核位垒ΔGk=（），其值相当于（）具有临界半径r的粒子数nk/N=（）。
当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
下列活度与标准态的关系表述正确的是（）A、活度等于1的状态必为标准态B、活度等于1的状态与标准态的化学势相等C、标准态的活度并不一定等于1D、活度与标准态的选择无关
单选题根据量子力学，当自由运动的电子被高过其本身能量的势垒散射时，下列哪种情况会发生？（）A电子有较小的概率穿过该势垒B电子一定会被势垒弹回C电子一定会穿过势垒D电子会被束缚在势垒中
填空题调幅分解又称（）分解、或（）分解、或（）分解。（）分解没有形核势垒，是无核相变，通过上坡扩散，最后形成稳定的两相结构。
多选题正态频率曲线中包含的统计参数分别是（）。A均值B离势系数C均方差D偏态系数
判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。A对B错
单选题选择皮尔逊Ⅲ型曲线的三个统计参数：X，CV，CS其分别代表（）。A离势系数，均值，偏态系数B均值，偏态系数，离势系数C均值，离势系数，偏态系数
填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
单选题晶核的成核位垒越低，析晶过程越容易进行，按析晶过程由易到难的顺序排列，下列正确的是（）A均匀成核非均匀成核润湿的非均匀成核B非均匀成核润湿的非均匀成核均匀成核C润湿的非均匀成核非均匀成核均匀成核D润湿的非均匀成核均匀成核非均匀成核
填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
判断题微观粒子贯穿势垒的概率与势垒的宽度和高度有关，当势垒加宽或变高时，势垒贯穿概率变小。A对B错
填空题均匀成核时，临界成核位垒ΔGk=（），其值相当于（）具有临界半径r的粒子数nk/N=（）。
填空题液-固相变时，非均匀成核位垒与接触角θ有关，当θ为（）时，非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。