当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。 A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者正偏
当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。A、前者反偏、后者反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者正偏D、前者反偏，后者正偏
BJT工作在放大区的工作条件是:()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
当三极管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。 A.前者反偏，后者也反偏B.前者正偏，后者反偏C.前者正偏，后者也正偏
关于PIN和APD的偏置电压表述,正确的是()A.均为正向偏置B.均为反向偏置C.前者正偏,后者反偏D.前者反偏,后者正偏
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏
如果晶体三极管的（），则该管工作于截止区。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏
处于饱和状态的三极管，其工作状态为（）。A.发射结正偏、集电结反偏B.发射结反偏、集电结正偏C.发射结反偏、集电结反偏D.发射结正偏、集电结正偏
晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）A.发射结、集电结均正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结正偏、集电结反偏D.发射结反偏、集电结正偏
如果晶体三极管的（），则该管工作于饱和区。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏
三极管工作在截止模式时要求（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A、集电结正偏，发射结反偏B、集电结反偏，发射集正偏C、集电结，发射结均反偏D、集电结，发射结均正偏
三极管工作在放大状态时，发射结和集电结的偏置应为（）。A、发射结零偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
为了使晶体管工作于饱和区，必须保证（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射强正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结零偏D、发射结反偏，集电结正偏
关于PIN和APD的偏置电压表述，正确的是（）。A、均为正向偏置B、均为反向偏置C、前者正偏，后者反偏D、前者反偏，后者正偏
晶体管能够放大的外部条件是（）。A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结反偏
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者也正偏
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
三极管工作在饱和区，要求（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
晶体三极管工作在饱和区时，要求（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
三极管工作在放大状态时，其偏置应为（）A、发射结零偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结反偏
晶体三极管工作于饱和状态时，则（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
关于半导体光源和半导体光电检测器的偏置电压表述，正确的是（）A、均为正向偏置B、均为反向偏置C、前者正偏，后者反偏D、前者反偏，后者正偏
当三极管工作在放大区时，发射结电压和集电极电压应为（）A、反偏、反偏B、反偏、正偏C、正偏、反偏D、正偏、正偏
单选题晶体管工作在放大区时，各极电压为（）A集电结正偏，发射结反偏B集电结反偏，发射集正偏C集电结，发射结均反偏D集电结，发射结均正偏
单选题关于PIN和APD的偏置电压表述，正确的是（）。A均为正向偏置B均为反向偏置C前者正偏，后者反偏D前者反偏，后者正偏
单选题处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。A发射结正偏，集电结正偏B发射结反偏，集电结反偏C发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏