晶体三极管放大电路处于临界饱和状态的条件是发射结(),集电结()。
为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。() 此题为判断题(对，错)。
当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是（）。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.无法判定
满足Ic=βIb的关系时，晶体三极管工作在（）。A、饱和区B、放大区C、截止区D、无法确定
当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态
晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）。A、发射结、集电结均正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
当晶体三极管处于饱和状态时。三极管相当于开关的（）状态。
晶体三极管有（）工作状态。A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、换向状态
若使晶体三极管工作在（）状态，必须使发射极加负偏压或零偏压，即使基极电流小于零，此时集电极一般也承受负偏压。A、放大状态B、截止状态C、饱和状态
为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。
晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是饱和状态
晶体三极管集电结和发射结均于反向偏置时，三极管处于饱和状态。
晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态
当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、无能确定
在单级共射极放大电路中，为了使工作在饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用的办法是（）A、减小IBB、提高VG的绝对值C、减小RC的值D、减小RB
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（）的方法。A、减小IbB、减小RcC、提高Ec
电源电压等于12V，晶体三极管若工作在饱和状态时，其集电极与发射极之间饱和压降为（）。A、约6VB、约12VC、约0.3VD、约-12V
晶体三极管有（）、截止状态和饱和状态三种工作状态。
测得NPN型晶体三极管的极间电压UBE=0.7V、UCE=0.3V，则该管工作在（）。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、反向放大状态
晶体三极管要处于饱和状态必须满足（）。A、发射结集电结构正偏B、发射结集电结均反偏C、发射结正偏集电结反偏D、发射结反偏集电结正偏
晶体三极管作开关应用时，是工作在饱和状态和截止状态的。
单选题为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（）的方法。A减小IbB减小RcC提高Ec
多选题晶体三极管有（）工作状态。A放大状态B截止状态C饱和状态D换向状态
单选题电源电压等于12V，晶体三极管若工作在饱和状态时，其集电极与发射极之间饱和压降为（）。A约6VB约12VC约0.3VD约-12V
单选题当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。A放大状态B饱和状态C截止状态
判断题为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。A对B错