晶体管工作在放大区时,发射结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
晶体管工作在放大区时,集电结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。A、前者反偏、后者反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者正偏D、前者反偏，后者正偏
当三极管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。 A.前者反偏，后者也反偏B.前者正偏，后者反偏C.前者正偏，后者也正偏
使晶体管处于放大状态的偏置状况是:()结正偏,()结反偏。
关于PIN和APD的偏置电压表述,正确的是()A.均为正向偏置B.均为反向偏置C.前者正偏,后者反偏D.前者反偏,后者正偏
半导体三极管的放大条件是()。 A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏
三极管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况如何？( )A.发射结反偏，集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏，集电结反偏
半导体三极管的放大条件是（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
晶体管工作在放大区时，发射结处于（）。A、正向偏置B、反向偏置C、iE偏或反偏D、不能确定
三极管工作在放大状态时，发射结和集电结的偏置应为（）。A、发射结零偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
关于PIN和APD的偏置电压表述，正确的是（）。A、均为正向偏置B、均为反向偏置C、前者正偏，后者反偏D、前者反偏，后者正偏
三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
工作在放大区的NPN型三极管，其偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）A、前者反偏、后者也反偏B、前者正偏、后者反偏C、前者正偏、后者也正偏D、前者反偏、后者也正偏
对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
半导体三极管处在饱和状态时是（）A、发射结反偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结正偏
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
三极管放大的外部偏置条件是（）。A、发射结和集电结均正偏B、发射结和集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
三极管工作在放大状态时，其偏置应为（）A、发射结零偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结反偏
晶体三级管电流放大的偏置条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结正偏
单选题关于PIN和APD的偏置电压表述，正确的是（）A 均为正向偏置B 均为反向偏置C 前者正偏，后者反偏D 前者反偏，后者正偏
单选题晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。A发射结反偏，集电结正偏B发射结、集电结均反偏C发射结、集电结均正偏D发射结正偏，集电结反偏
单选题半导体三极管的放大条件是（）。A发射结正偏，集电结反偏B发射结正偏，集电结正偏C发射结反偏，集电结正偏D发射结反偏，集电结反偏