当集电结反偏时,基区和集电区中的少子向对方漂移,形成了 。A.基极电流IBNB.集电极电流ICNC.发射极电流IED.反向饱和电流ICBO
当集电结反偏时,基区和集电区中的少子向对方漂移,形成了 。
A.基极电流IBN
B.集电极电流ICN
C.发射极电流IE
D.反向饱和电流ICBO
参考答案和解析
反向饱和电流
相关考题:
晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏
下列关于晶体三极管说法证确的是()。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A、内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件,发射结正偏,集电结反偏D、外部条件,发射结反偏。集电结反偏
填空题晶体管中的少子在渡越()的过程中会发生(),从而使到达集电结的少子比从发射结注入基区的少子()。