填空题三极管的内部结构是由基区、()区、集电区及发射结和集电结组成的。

填空题
三极管的内部结构是由基区、()区、集电区及发射结和集电结组成的。

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相关考题:

晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。 A、一个B、两个C、三个D、四个

三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

要使晶体管有电流放大作用,必须给发射结加正向电压,( )加反向电压。A.控制结B.集电区C.基区D.集电结

位于集电区与基区之间的PN结称为()。A、基极B、发射结C、集电结D、以上选项均不正确

晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。 A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结正向偏置,集电结正向偏置C、发射结反向偏置,集电结反向偏置D、发射结反向偏置,集电结正向偏置

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏

关于三极管,不正确的描述是() A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大

晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。() 此题为判断题(对,错)。

正常放大时,三极管耗能最大的是().A、发射区B、基区C、发射结D、集电结

晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。

三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域,中间的一层为()。A、基区B、栅区C、集电区D、发射区

要使晶体管有电流放大作用,必须给发射结加正向电压,()加反向电压。A、控制结B、集电区C、基区D、集电结

三极管饱和区的放大条件为()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏或零偏,集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏

三极管具有()的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小,集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项

晶体三极管是由()个PN结组成,分成基区、发射区、集电区.

下列关于晶体三极管说法证确的是()。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A、内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件,发射结正偏,集电结反偏D、外部条件,发射结反偏。集电结反偏

三极管内部结构特点之一有集电结面积比发射结面积小。

关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为()A、基区很薄B、基区掺杂浓度最高C、发射区掺杂浓度最高D、发射结的结面积小于集电结的结面积

三极管有()型和()型两种结构,三极管中集电区与基区之间的PN结称为()结,基区与发射区之间的PN结成为()结。

三极管能放大的内因是:发射区掺杂浓度()、基区宽度()且杂质浓度()、集电结面积();外部条件是:发射结处于()偏置,集电结处于()偏置。

半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分,结合处形成两个PN结,分别称为发射结和()。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结

三极管最薄的区是()。A、发射区B、集电区C、基区

三极管内部由三层半导体材料组成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别为发射结和()。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结

三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。

三极管内部由三层半导体材料组成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射结和()。A、集中结B、集成结C、集电结

填空题晶体三极管是由()个PN结组成,分成基区、发射区、集电区.