当MOSFET的沟道宽度很小时,阈值电压将随着沟道宽度的增加而()。

当MOSFET的沟道宽度很小时,阈值电压将随着沟道宽度的增加而()。


参考答案和解析
减小##%_YZPRLFH_%##降低##%_YZPRLFH_%##变小

相关考题:

按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道

下列哪些措施能够有效的避免遭遇泥石流?()A.在沟道两侧大面积植树B.不要将房屋建在沟口、沟道上从滑坡体的侧面进行挖掘C.将占据沟道的房屋搬迁到安全地带D.在沟道两侧修筑防护堤

场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道

当样本量给定时,置信区间的宽度随着置信系数的增大而增大;而当置信水平固定时,置信区间的宽度随着样本量的增大而减小。() 此题为判断题(对,错)。

电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

对于变形区的前滑值,下列说法错误的是( )。A.当宽度小于定值时,随宽度增加,前滑值也增加;而当宽度超过此值后,继续增加,前滑值不在增加B.当轧件厚度减小时,前滑值也相应地减小C.随相对压下量的增大,前滑值也增大D.当轧件厚度减小时,前滑值不变

对于变形区的前滑值,当宽度小于定值时,随宽度增加,前滑值也增加;而当宽度超过此值后,继续增加,前滑值不再增加。此题为判断题(对,错)。

排水沟道纵断面设计时,一般要求上级沟道的沟底不低于下级沟道沟底。

孔洞盖板及沟道盖板用于孔洞或沟道的()

单极型晶体管又称为()管,其导电沟道有()沟道和()沟道。

结型场效应管的类型有()。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

MOS种类分为?()A、P沟道场管B、Q沟道场管C、D沟道场管D、N沟道场管

对沟道效应,沿着主晶轴方向入射时,角分布半宽度的典型值为多少。

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管

当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。

场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。

CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

问答题试述MOS管沟道长度L和宽度W与阈值电压的关系。

填空题单极型晶体管又称为()管。其导电沟道分有()沟道和P沟道。

填空题在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

填空题P沟道MOSFET的衬底是()型半导体,源区和漏区是()型半导体,沟道中的载流子是()。

多选题按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?()A耗尽型B增强型CP沟道DN沟道

填空题由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。

判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A对B错

单选题NMOS是在()阱形成的()沟道的MOSFET晶体管。AP阱,P沟BP阱、N沟CN阱、N沟DN阱、P沟

填空题PMOS是在()上形成P型沟道的MOSFET晶体管。

填空题为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。