【单选题】当晶体管工作于饱和状态时，其（）A．发射结正偏，集电结正偏B．发射结反偏，集电结反偏C．发射结正偏，集电结反偏

【单选题】当晶体管工作于饱和状态时，其（）

A．发射结正偏，集电结正偏

B．发射结反偏，集电结反偏

C．发射结正偏，集电结反偏

参考答案和解析
发射结正偏，集电结正偏

相关考题：

晶体管的工作状态有 () A、截止状态B、放大状态C、饱和状态
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硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
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当晶体管的两个PN结都反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态
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当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流,且UCE小于BUCEO时,晶体管就能安全工作。() 此题为判断题(对，错)。
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对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。 A.发射极B.基极C.集电极D.不确定
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磁饱和稳压器其初级铁心工作在不饱和状态次级铁心工作于饱和状态。() 此题为判断题(对，错)。
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晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为Rbe，那么，该放大电路的输入电阻为：
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晶体管工作在饱和状态时其发射结正偏集电结反偏。
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当晶体管的发射结正偏，集电结正偏时，晶体管处于饱和状态。
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当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。
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下列哪几种是晶体管的工作状态（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态
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在数字电路中，晶体管作为开关应用，因此，它始终（）。A、工作在放大区B、工作在截止区C、工作在饱和区D、在截止和饱和状态间转换。
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磁饱和稳压器初级铁心工作在不饱和状态，次级铁心工作于饱和状态。
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磁饱和稳压器其初级铁心工作在不饱和状态次级铁心工作于饱和状态。
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硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
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数字电路中，当晶体管的饱和深度变浅时，其工作速度（）。A、变低B、不变C、变高D、加倍
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共射基本放大电路中，若测得晶体管的VCQ≈VCC，则可以判别晶体管工作在（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、击穿状态
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对于双极型晶体三极管（简称晶体管），如下不正确的描述是（）。A、晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B、晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C、晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D、晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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以下哪个状态不属于晶体管的工作状态（）。A、截止状态B、放大状态C、饱和状态D、集电状态
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两个PN结均为正偏时，晶体管工作在饱和状态；两个PN结均为反偏时，晶体管工作在截止状态。
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大功率晶体管GTR在逆变电路中是用来作为开关器件的，其工作过程总是在（）之间进行交替的A、放大状态和饱和状态B、饱和状态和低阻状态C、放大状态和截止状态D、饱和状态和截止状态
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单选题晶体管处于饱和状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。A正／反B反／正C正／正D反／反
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单选题数字电路中，当晶体管的饱和深度变浅时，其工作速度（）。A变低B不变C变高D加倍
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单选题当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）A截止区B放大区C饱和区
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判断题磁饱和稳压器初级铁心工作在不饱和状态，次级铁心工作于饱和状态。A对B错
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判断题磁饱和稳压器其初级铁心工作在不饱和状态次级铁心工作于饱和状态。A对B错
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单选题对于双极型晶体三极管（简称晶体管），如下不正确的描述是（）。A晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
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多选题下列哪几种是晶体管的工作状态（）A放大状态B饱和状态C截止状态
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