晶体管的工作状态有 () A、截止状态B、放大状态C、饱和状态
晶体管的工作状态有 ()
A、截止状态
B、放大状态
C、饱和状态
相关考题：
对于双极型晶体三极管(简称晶体管)，如下不正确的描述是( )。A.晶体管的工作状态可分为截止状态、放大状态和饱和状态B.晶体管的工作区域可分为线性区和非线性区C.晶体管工作状态可由开关接通与断开的电路模型表示D.晶体管存在开关状态和放大状态两种工作状态
8、IGBT的饱和工作原理是（）。A．MOSFET的沟道夹断，饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。B．MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入，形成传导电流。C．MOSFET的沟道夹断，pnp晶体管工作在截至状态。D．MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。
晶体管用微变等效电路来代替的条件是晶体管工作在小信号状态下。