某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。 A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V
晶体管的交流小信号电路模型是不能用来分析放大电路中交流分量的。()
在晶体管放大电路中，射极跟随器具有输入电阻大，输出电阻小的特点。此题为判断题(对，错)。
三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（ ）之间相互关系的，它反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。A.电压和电流B.电压和电阻C.电流和电阻D.电压和电感
下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。A、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5～10VE、单结晶体管体积小重量轻
PWM型晶体管调压器的调压方法是（）。A、改变晶体管开关的频率B、改变晶体管导通的时间C、改变晶体管的电阻大小D、改变晶体管的放大倍数
带阻晶体管即（）。A、带有一个或两个电阻的晶体管B、具有电阻特性的晶体管
以下零件需辩识极性的是（）A、电阻；跳线；二极管；晶体管B、电阻；二极管；晶体管；电容C、二极管；晶体管；电解电容D、电阻；二极管；晶体管；保险丝
晶体管调压器中，晶体管的导通比指的是：（）A、晶体管的相对导通时间B、晶体管的导通时间C、晶体管的截止时间D、晶体管的相对截止时间
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
晶体管共射电路具有较高的（）增益和电流增益，同时输入电阻和输出电阻比较适中。
单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。
（）不属于晶体管共发射极电路特点。A、具有较高的电压增益B、具有较高的电流增益C、输入电阻比较适中D、输出电阻大
下列哪个不是无源部件（）A、晶体管B、二极管C、电阻器D、浪涌抑制器
三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（）和（）之间相互关系的，它反映晶体管的性能。A、电压；电流B、电压；电阻C、电流；电阻D、电感；电阻
在晶体二极管特性的正向区，晶体管相当于（）。A、小电阻B、大电阻C、断开的开关D、接通的开关
设计一单级晶体管放大器，要求输入电阻大，输出电阻小，应选择（）电路。A、共发射极放大B、共基极放大C、共源极放大D、共集电极放大
万用表进行电阻、导通测量时，下列（）不需要考虑极性。A、电阻B、二极管C、齐纳二极管D、晶体管
关于二极管混频器和晶体管混频器，下面说法有误的是（）A、二极管混频器组合频率少、动态范围大B、二极管混频器的变频功率增益小于1C、晶体管混频器组合频率多、干扰严重D、晶体管混频器没有变频功率增益
晶体管混频器的变频增益小于1，而二极管混频器的变频增益大于1。
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）A、增大B、不变C、减小D、无法确定
晶体管作为无触点开关，其导通电阻和开路电阻，依次应该（）A、前大后小B、前大后大C、前小后小D、前小后大
在晶体管放大电路中，射极跟随器具有输入电阻大，输出电阻小的特点。（）
问答题1）试比较射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异。 2）试讨论晶体管小信号模型和大信号模型的主要区别。请问能否使用晶体管大信号模型分析射频小信号。
单选题带阻晶体管即（）。A带有一个或两个电阻的晶体管B具有电阻特性的晶体管
单选题三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（）和（）之间相互关系的，它反映晶体管的性能。A电压；电流B电压；电阻C电流；电阻D电感；电阻