构成CCD的基本单元是()。 A.光电二极管 B.P型硅 C.PN结 D.MOS电容器A.AB.BC.CD.D

构成CCD的基本单元是()。 A.光电二极管 B.P型硅 C.PN结 D.MOS电容器

A.A

B.B

C.C

D.D


参考答案和解析
D

相关考题:

若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称______,若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体/NPN型半导体B.N型半导体/P型半导体C.PN结/PN结D.P型半导体/N型半导体

有机硅产品的基本结构单元是由()链节构成的,侧链则通过硅原子与其他各种有机基团相连。 A.硅氧B.碳碳C.硅碳D.碳氧

下列哪项器件不能将光信号转化为电信号A.CCD相机B.非晶硅C.非晶砸D.光电二极管E.闪烁体

构成CCD的基本单元是:_______ AP型硅BPN结C光敏二极管DMOS电容器

半导体色敏传感器又称为( )。 A. 双结光电二极管B. 雪崩式光电二极管C. PIN 型硅光电式二极管D. 光电池

下列哪类器件不能将光信号转化为电信号 A.CCD相机B.非晶硅C.非晶硒D.光电二极管E.闪烁体

非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A、碘化铯闪烁体B、开关二极管C、光电二极管D、电容器E、模数转换器

CCD(电荷耦合器件)的基本单元是MOS电容,在P型硅基质上,通过氧化生成的氧化膜,即二氧化硅绝缘层,再在绝缘层上通过蒸发和()形成条形金属电极就构成了MOS结构。A、光刻技术B、转移电荷C、光电效应D、光电转化

()都不能单独构成半导体器件,PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体

构成CCD的基本元件是()A、P型硅B、PN结C、发光二极管D、MOS电容器

半导体色敏传感器又称为()。A、双结光电二极管B、雪崩式光电二极管C、PIN型硅光电式二极管D、光电池

下列器件哪个不是将光信号转化为电信号()A、CCD相机B、非晶硅C、非晶硒D、光电二极管E、闪烁体

CCD图像传感器的基本单元是一个()电容器。

构成CCD的基本单元是()。A、P型硅B、PN结C、光敏二极管D、MOS电容器

构成CCD的基本单元是()A、P型硅B、PN结C、光电二极管D、MOS电容器

固体半导体摄像元件CCD是一种()A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路

简述CRH380AL型动车组广播装置基本单元的构成。

填空题硅光电池、PIN型光电二极管、和雪崩光电二极管,三者中时间常数最大的是()。

判断题用双结光电二极管作颜色测量时,可以测出其中两个硅光电二极管的短路电流比的对数值与入射光波长的关系。A对B错

单选题若要检测脉宽为10-7s的光脉冲,应选用()为光电变换器件。APIN型光电二极管B3DU型光电三极管CPN结型光电二极管D2CR11硅光电池

单选题非晶硅平板探测器中进行光电转换的元件是()A碘化铯闪烁体B开关二极管C光电二极管D电容器E模数转换器

单选题非晶硅平板探测器基本结构为(  )。A碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路

问答题影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz?怎样提高硅光电二极管的频率响应?

填空题半导体色敏器件是一个双结光电二极管,由两个()不同的PN结构成。

单选题若要检测脉宽为10-7s的光脉冲,应选用()为光电变换器件。APIN型光电二极管B3DU型光电三极管CPN结型光电二极管D硅光电池

判断题PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应,还能提高器件的光电灵敏度。A对B错

单选题PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于()A1GHzB100MHzC10MHzD1MHz

单选题构成CCD的基本元件是()AP型硅BPN结C发光二极管DMOS电容器