问答题影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些？为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz？怎样提高硅光电二极管的频率响应？

问答题
影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些？为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz？怎样提高硅光电二极管的频率响应？

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可控硅是具有()个PN结的四层半导体器件。 A、三B、四C、五
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硅光电池是利用光电效应原理制成的器件,下列表述正确的是A．硅光电池是把光能转变为电能的一种装置B．硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出C．逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率无关D．任意频率的光照射到硅光电池上都能产生光电效应
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下列哪项器件不能将光信号转化为电信号A.CCD相机B.非晶硅C.非晶砸D.光电二极管E.闪烁体
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半导体色敏传感器又称为( )。 A. 双结光电二极管B. 雪崩式光电二极管C. PIN 型硅光电式二极管D. 光电池
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硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
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光电池的工作原理是基于光生伏特效应的，硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。
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对于光电管的基本特性，下面说法正确的是（）。A、当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。B、三极管的光照特性曲线有良好的线性。C、在零偏压时，二极管和三极管都没有光电流输出。D、温度变化对光电管的光电流影响很小，而对暗电流影响很大。E、锗光电二极管的温度特性比硅光电二极管好。
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半导体色敏传感器又称为（）。A、双结光电二极管B、雪崩式光电二极管C、PIN型硅光电式二极管D、光电池
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下列器件哪个不是将光信号转化为电信号（）A、CCD相机B、非晶硅C、非晶硒D、光电二极管E、闪烁体
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基于光生伏特效应工作的光电器件是（）A、光电管B、光敏电阻C、光电池D、光电倍增管
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基于光生伏特效应的光电器件有光电二极管、光电三极管和光电池。
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构成CCD的基本单元是（）A、P型硅B、PN结C、光电二极管D、MOS电容器
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什么是外光电效应？内光电效应？（光生伏特效应、光电导效应）。光电器件中的光照特性、光谱特性分别描述的是光电器件的什么性能？
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光电二极管的光谱特性与PN结的结深有关。
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问答题简述光生伏特效应的工作原理。为什么光伏效应器件比光电导效应器件有更快的响应速度？
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判断题硅光电池是一种需要加偏置电压才能把光能转换成电能的PN结光电器件。A对B错
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单选题下列器件哪个不能将光信号转化为电信号？（　　）A光电二极管BCCD相机C非晶硒D非晶硅E闪烁体
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问答题试比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线，说明它们的差异。
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单选题若要检测脉宽为10-7s的光脉冲，应选用（）为光电变换器件。APIN型光电二极管B3DU型光电三极管CPN结型光电二极管D2CR11硅光电池
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问答题为什么发光二极管的PN结要加正向电压才能发光？而光电二极管要零偏或反偏才能有光生伏特效应？
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单选题下列器件哪个不能将光信号转化为电信号（）ACCD相机B非晶硅C非晶硒D光电二极管E闪烁体
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问答题为什么需要将发光二极管与光电二极管封装在一起构成光电耦合器件？光电耦合器件的主要特性有哪些？
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问答题光电导器件响应时间（频率特性）受哪些因素限制？光伏器件与光电导器件工作频率哪个高？实际使用时如何改善其工作频率响应？
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单选题若要检测脉宽为10-7s的光脉冲，应选用（）为光电变换器件。APIN型光电二极管B3DU型光电三极管CPN结型光电二极管D硅光电池
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判断题PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应，还能提高器件的光电灵敏度。A对B错
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单选题PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于（）A1GHzB100MHzC10MHzD1MHz
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单选题灵敏度最高的光电器件是（）A光电二极管B光敏电阻C光电三极管D硅光电池
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