光敏二极管是一种将 能量变换为电能量的器件,是基于半导体的 效应原理,即在光照射下,半导体材料吸收光子能量使电子激发。

光敏二极管是一种将 能量变换为电能量的器件,是基于半导体的 效应原理,即在光照射下,半导体材料吸收光子能量使电子激发。


参考答案和解析
增加

相关考题:

在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结

γ光子与原子的核外电子碰撞,将一部分能量传递给电子,使之脱离原子轨道成为自由电子,γ光子本身能量降低,运行方向发生改变,称为A、电离B、光电效应C、韧致辐射D、康普顿效应E、湮灭辐射

康普顿效应就是较高能量的伽马射线与原子核外电子相碰撞时,将部分能量转移给电子使电子射出,而光子本身能量降低并改变运行方向成为散射光子。() 此题为判断题(对,错)。

半导体应变片的工作原理基于半导体材料的热阻效应。()

X射线光子与物质发生相互作用的作用过程是能量传递的过程。当入射光子的能量取值不同时,发生的作用形式是不同的。发生几率不足全部相互作用的5%的是A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用光电效应的发生条件是A、人射光子能量与轨道电子结合能必须是接近相等B、入射光子能量远远小于轨道电子结合能C、入射光子能量远远大于轨道电子结合能D、入射光子能量稍小于轨道电子结合能E、入射光子能量与外层轨道电子结合能相等当入射光子能量远远大于原子外层轨道电子的结合能时发生A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用当入射光子能量等于或大于1.02MeV时可以出现A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用当人射光子能量大于物质发生核反应的阈能时,会发生A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用

光敏二极管属于单向导电的线性半导体器件。()

光敏二极管是光电转换半导体器件。().

若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()

康普顿效应作用过程的特征是()。A、 产生正负电子对B、 光子的全部能量被转移C、 光子能量不发生转移D、 光子能量部分被转移

对CCD的叙述,错误的是( )A、是一种半导体器件B、是一种固定摄像器C、是一种发光二极管D、是一种电耦合器件E、是一种光照下能产生电荷的器件

当光子与物质相互作用时,光子将部分能量用于逐出轨道电子,且剩余的能量变为电子的动能,这就是()A、康普顿散射B、光电效应C、电子对效应D、电离效应

下列关于光电效应的说法哪一种是正确的()A、光电效应是光子把部分能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程B、光电效应是光子把全部能量转移给原子核使电子变为光电子的过程C、光电效应是光子把全部能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程D、靶物质原子序数低时发生光电效应的几率较高E、光电效应不需要原子核参与作用

在特定位置光子束对轨道电子的能量转移,不会导致在相同位置能量被介质吸收,这是因为()A、光子强度B、光子能量C、次级电子有射程D、次级电子强度E、次级电子能量

热点偶是应用导体或半导体材料的()原理进行测定的。 A、热胀冷缩B、热量交换C、热电效应D、能量交换

半导体材料的()(或禁带宽度或Eg)决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。

N型半导体中的自由电子是()形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发

X射线光子与物质发生相互作用的过程是能量传递的过程。当入射光子的能量取值不同时,发生的作用形式是不同的。光电效应的发生条件是()A、入射光子能量与轨道电子结合能必须是接近相等B、入射光子能量远远小于轨道电子结合能C、入射光子能量远远大于轨道电子结合能D、入射光子能量稍小于轨道电子结合能E、入射光子能量与外层轨道电子结合能相等

光照射于某一物体,组成该物体的材料吸收光子能量而发生相应的电效应的物理现象称为光电效应。

半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的霍尔效应。

半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的()。A、压阻效应;B、应变效应;C、霍耳效应;D、光电效应

填空题光子探测是利用半导体材料在入射光照射下产生()。

单选题半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带,导带B价带,禁带C禁带,导带D导带,价带

填空题光照射在物体上可以看成一连串具有一定能量的光子轰击这些物体,一个光子的能量只能给一个电子,因此电子增加的能量为hv。电子获得能量后释放出来,参加导电。这种物体吸收光的能量后产生电效应的现象叫做()。

单选题与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()A比半导体的大B比半导体的小C与半导体的相等

判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A对B错

单选题光照到某些金属或半导体材料上,若入射的光子能量足够大,致使电子从材料中逸出,称为()效应。A光电导效应;B光生伏特效应;C内光电效应;D光电发射。

填空题半导体受到光照时,由于吸收光子使其中的载流子浓度增大,因而导致材料的电导率增大,称为()效应。

单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带,这一过程称为()A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D晶格吸收