关于EPSP和IPSP错误的是A．都是局部电位B．均是引起突触后膜离子电导发生了改变C．EPSP释放了兴奋性的递质，引起膜的去极化D．IPSP引发了钾离子外流，突触后膜超极化E．突触后膜上的受体一般为配体门控的离子通道
关于EPSP和IPSP错误的是
A．都是局部电位
B．均是引起突触后膜离子电导发生了改变
C．EPSP释放了兴奋性的递质，引起膜的去极化
D．IPSP引发了钾离子外流，突触后膜超极化
E．突触后膜上的受体一般为配体门控的离子通道
参考答案和解析
错误
相关考题：
下述关于EPSP产生过程的叙述哪一项是错误的？A. 突触前膜去极化B. Ca2+经突触前膜进入突触小体C. 突触小泡释放兴奋性递质并与后膜受体结合D. 突触后膜对Na+、K+、Cl-特别是Na+通透性增强E. Na+内流突触后膜超极化产生EPSP
下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化B. Ca2+经突触前膜进入突触小体C. 突触前膜释放抑制性递质D. 突触后膜对Cl-通透性增强E. Cl-内流产生IPSP
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl-通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
单选题下列关于化学突触的叙述，错误的是（）A突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称IPSPB突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称EPSPC细胞外Ca进入末梢轴浆内，触发突触囊泡的出胞D突触前末梢在接受一短串高频刺激后可产生强直后增强现象E突触后膜上电位改变的总趋势决定于同时产生的EPSP和IPSP的代数和
多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
填空题IPSP称为（），是一种（）电位。