填空题IPSP称为(),是一种()电位。

填空题
IPSP称为(),是一种()电位。

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相关考题:

AP经过突触,在突触后膜上产生的电位变化是() A、APB、阈电位C、发生器电位D、EPSPE、IPSP

突触前抑制是由于A. 前膜部分去极化B. 前膜动作电位幅度减小C. 前膜释放的兴奋性递质减少D. 后膜产生EPSP幅度减小E. 产生IPSP幅度增大

属于局部电位的是A.发生器电位 B.感受器电位 C. IPSP D. EPSP

数字电路工作时通常只有()状态:高电位(又称高电平)或低电位(又称低电平)。通常把高电位用代码“1”表示,称为逻辑“1”;低电位用代码“0”表示,称为逻辑“0”(按正逻辑定义的)。A、四种B、三种C、两种D、一种

关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

电位计是一种常用的机电元件,可将位移或转角变换成与之有某种函数关系的电阻或电压输出,这种电位计称为函数电位计或()。

IPSP称为(),是一种()电位。

电源高电位一端称为正极,低电位一端称为负极。

产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()A、突触前末梢递质释放减少B、突触后膜Ca2+电导降低C、突触后膜Na+电导降低D、中间神经元受抑制E、突触后膜发生超极化

终板电位是一种()电位。A、可扩布性B、后电位C、局部

突触后神经元活动取决于()A、EPSP的总和B、IPSP的总和C、EPSP和IPSP的代数和D、以上都不是

关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()A、Cl-通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关

抑制性突触后电位(IPSP)

产生突触前抑制的机制是()A、突触前膜阈电位水平抬高B、突触前末梢递质释放减少C、突触前末梢释放抑制性递质D、由抑制性中间神经元中介E、突触后膜产生IPSP

EPSP称为(),是一种()电位。

名词解释题IPSP

名词解释题EPSP和IPSP

填空题电位计是一种常用的机电元件,可将位移或转角变换成与之有某种函数关系的电阻或电压输出,这种电位计称为函数电位计或()。

单选题数字电路工作时通常只有()状态:高电位(又称高电平)或低电位(又称低电平)。通常把高电位用代码“1”表示,称为逻辑“1”;低电位用代码“0”表示,称为逻辑“0”(按正逻辑定义的)。A四种B三种C两种D一种

单选题产生突触前抑制的机制是()A突触前膜阈电位水平抬高B突触前末梢递质释放减少C突触前末梢释放抑制性递质D由抑制性中间神经元中介E突触后膜产生IPSP

单选题产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()A突触前末梢递质释放减少B突触后膜Ca2+电导降低C突触后膜Na+电导降低D中间神经元受抑制E突触后膜发生超极化

多选题下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小E引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大

填空题EPSP称为(),是一种()电位。

名词解释题抑制性突触后电位(IPSP)

判断题没有电流通过时的电极电位称为静态电位,有电流通过时的电位称为动态电位。A对B错