22、以下有可能是电介质中的载流子的是A．电子B．离子C．胶粒D．空穴

22、以下有可能是电介质中的载流子的是

A．电子

B．离子

C．胶粒

D．空穴

参考答案和解析
AB

相关考题：

场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
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对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
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电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
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引起液体电介质击穿的主要因素是（）。A、电源频率B、液体电介质中的杂质C、液体电介质的温度D、电压作用时间
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当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
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N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
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对于各向同性的均匀电介质，下列概念正确的是（）A、电介质充满整个电场并且自由电荷的分布不发生变化时，电介质中的电场强度一定等于没有电介质时该点电场强度的1/εｒ倍B、电介质中的电场强度一定等于没有介质时该点电场强度的1/εｒ倍C、在电介质充满整个电场时，电介质中的电场强度一定等于没有电介质时该点电场强度的1/εｒ倍D、电介质中的电场强度一定等于没有介质时该点电场强度的εｒ倍
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PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
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半导体中的载流子是电子。
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N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
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下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
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在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
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P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
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半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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P型半导体中多数载流子为（），少数载流子为（）。
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半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
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N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
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本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
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对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
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N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
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杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
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P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
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N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
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在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
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当二极管导通后参加导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
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填空题PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
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填空题N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
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