PN结中P区的多数载流子是(),N区的多数载流子是()。

PN结中P区的多数载流子是(),N区的多数载流子是()。


相关考题:

PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成

PN结是()形成的。 A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上,多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上,少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散

当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子,也有少数载流子

PN结的宽度稳定后()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡

当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是()A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子

N型半导体中多数载流子是(),少数载流子是()。

N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。A、不一定B、少数载流子C、既有多数载流子,又有少数载流子D、多数载流子

N型半导体中,多数载流子是(),P型半导体中,多数载流子是()。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子

P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

光生电流包括()。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时,PN结输出电流

PN结中进行着两种载流子的运动:多数载流子的()运动和少数载流子的()运动。

当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的()。A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载流子浓度减小

N型半导体中的多数载流子是(),少数载流子是()。

PN结反偏时,内电场与外电场的方向(),空间电荷区变(),有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。

对PN结施加反向电压时,参与导电的是()A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。

为什么PN结具有单向导电性()。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向一致,增强内电场作用,多数载流子顺利通过在电路中形成电流,正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向相反,削弱内电场阻挡作用,使多数载流子顺利通过阻挡层,在电路中形成电流,正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向相反,削弱内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向一致,增强内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用

PN结反向漏电流是由()产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子

在NP结处发生多数载流子扩散运行,少数载流子漂移运动,结果形成了空间电荷区。

N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

单选题简述光生伏特效应中正确的是()A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;Bp、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C平衡载流子破坏原来的热平衡;D非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

填空题PN结中P区的多数载流子是(),N区的多数载流子是()。

填空题PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。

单选题当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。A不一定B少数载流子C既有多数载流子,又有少数载流子D多数载流子