低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?
目前实验室和工业上经常采用的制备超细粉体材料的方法是()A、气相法B、固相法C、液相法D、化学气相沉积法
常见清除积炭方法有()。 A.化学清除B.碱性化学剂C.有机溶剂D.机械清除
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
混凝工艺中分离矾花的方法有（）。A、沉淀、气浮B、气浮、氧化C、淀、电解D、气浮、中和
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
目前常用刀具涂层方法有（）。A、化学气相沉积法B、物理气相沉积法C、盐浴浸镀法D、等离子喷涂
生产超细颗粒的方法中PVD和CVD法分别指（）A、物理气相沉积法；B、化学气相沉积法；C、气相法；D、固相法
在光纤的制备方法中，VAD法是指（）。A、外部化学气相沉积法B、轴向化学气相沉积法C、改进的化学气相沉积法D、等离子化学气相沉积法
常见气相防锈形式有（）。A、气相防锈纸防锈B、粉末法气相防锈C、溶液法气相防锈D、混合法气相防锈
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对B错
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A1、2B2、4C1、4D1、2、4E1、2、3、4
多选题水质监测常用的方法有（）。A化学法B电化学法C气相色谱法D分光光度法
问答题化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？
单选题混凝工艺中分离矾花的方法有（）。A沉淀、气浮B气浮、氧化C淀、电解D气浮、中和
填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？