同种工艺下,不同MOS管版图形状区别也很大,其主要的原因是MOS管类型和参数各不相同。

同种工艺下,不同MOS管版图形状区别也很大,其主要的原因是MOS管类型和参数各不相同。


参考答案和解析
MOS管宽度参数不同;MOS管长度参数不同

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vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管

结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?

一个MOS管当栅极与漏极短接时,该MOS管可以作为()。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载

对于大尺寸的MOS管版图设计,适合采用什么样的版图结构?简述原因。

单极型集成电路不包含().A、普通晶体管(NPN管或PNP管)B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS(即CMOS)

开关MOS管选型需要注意哪些参数?

MOS管

按照导电沟道的不同,MOS管可分为()。A、NMOSB、PMOSC、CMOSD、DMOSE、SMOS

掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。 A、不确定B、0C、1D、可能为0,也可能为1

结型场效应管的类型有()。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和()两种类型。

衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。

UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管

当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管

IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。

CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

问答题在CMOS电路里,MOS管一般采用何种类型?

问答题MOS管是图元之一,它的可变参数有哪些?

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问答题MOS管的实际组成是什么?基本参数是什么?

多选题关于高宽长比MOS管的版图,下列说法正确的是()A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。

名词解释题MOS管

问答题MOS工艺包括有哪几种?MOS工艺的重要参数是什么?什么是特征尺寸?

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