减小基区宽度xB对电流放大系数β0、特征频率fT、厄利电压VA、基区穿通电压VPT的影响是A.β0↑、fT↑、VA↑、VPT↑;B.β0↓、fT↓、VA↑、VPT↑;C.β0↑、fT↑、VA↓、VPT↓;D.fT↓、VA↓、VPT↓;

减小基区宽度xB对电流放大系数β0、特征频率fT、厄利电压VA、基区穿通电压VPT的影响是

A.β0↑、fT↑、VA↑、VPT↑;

B.β0↓、fT↓、VA↑、VPT↑;

C.β0↑、fT↑、VA↓、VPT↓;

D.fT↓、VA↓、VPT↓;


参考答案和解析
β0 ↑、 fT ↑、 VA ↓、 VPT ↓ ;

相关考题:

晶体管放大器在有信号输入时,晶体管基极电压和电流变化的情况是( )。 A、电压、电流均增加B、电压和电流均减小C、电压增加、电流减小D、电压减小、电流增加

晶体管放大器在有信号输入时,晶体管基极电压和电流增加,集电极电压和电流变化的情况是( )。 A、电压和电流均增加B、电压和电流均减小C、电压增加、电流减小D、电压减小、电流增加

要使晶体管有电流放大作用,必须给发射结加正向电压,( )加反向电压。A.控制结B.集电区C.基区D.集电结

晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() 此题为判断题(对,错)。

晶体管具备电流放大的内部条件是()。 A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合

电压与电流有效值的乘积称为视在功率,单位是VA。A对B错

双极晶体管的1c7r噪声与()有关。A、基区宽度B、外延层厚度C、表面界面状态

分配噪声就是发射极电流随基区载流子复合数量的变化而变化所引起的噪声。

在非通信状态下,专变采集终端交流采样端口功耗为()。A、电压功耗应不大于0.5VA电流功耗不大于0.25VAB、电压功耗应不大于0.25VA电流功耗不大于0.25VAC、电压功耗应不大于0.5VA电流功耗不大于0.5VAD、电压功耗应不大于0.25VA电流功耗不大于0.5VA

要使晶体管有电流放大作用,必须给发射结加正向电压,()加反向电压。A、控制结B、集电区C、基区D、集电结

三极管的电流放大作用取决于电子在()中扩散与复合的比例。A、基极B、基区C、集电压D、发射区

晶体管具备电流放大的内部条件是()。A、基区薄而其杂质浓度低B、基区杂质浓度高C、降低发射区杂质浓度D、加强电子在基区的复合

三极管的主要参数有()。A、电流放大系数B、极间反向电流C、特征频率D、集电极最大允许电流E、集电极最大允许耗散功率F、反向击穿电压

叙述晶体三极管电流的传输过程()。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子,在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程

当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时,()可以提高晶体管最大工作电流。A、增大基区掺杂浓度B、减小基区宽度C、减小发射结面积D、增大集电区杂质浓度

造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。()A、基区电导调制效应,发射区有偏压效应B、基区有偏压效应,发射区电导调制效应C、基区电导调制效应,基区有偏压效应D、发射区有偏压效应,基区有偏压效应

晶体三极管的基区之所以做得很薄,其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。

填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将()全部占据时,集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是()基区宽度、()基区掺杂浓度。

填空题基区渡越时间是指()。当基区宽度加倍时,基区渡越时间增大到原来的()倍。

填空题当集电结反偏增加时,集电结耗尽区宽度会(),使基区宽度(),从而使集电极电流(),这就是基区宽度调变效应()。

填空题在设计与制造晶体管时,为提高晶体管的电流放大系数,应当()基区宽度,()基区掺杂浓度。

单选题在非通信状态下,专变采集终端交流采样端口功耗为()。A电压功耗应不大于0.5VA电流功耗不大于0.25VAB电压功耗应不大于0.25VA电流功耗不大于0.25VAC电压功耗应不大于0.5VA电流功耗不大于0.5VAD电压功耗应不大于0.25VA电流功耗不大于0.5VA

问答题什么是基区宽变效应,基区宽变效应受哪些因素影响?

名词解释题厄利电压

填空题晶体管的基区输运系数是指()电流与()电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生(),从而使基区输运系数()。为了提高基区输运系数,应当使基区宽度()基区少子扩散长度。

填空题在缓变基区晶体管的基区中会产生一个(),它对少子在基区中的运动起到()的作用,使少子的基区渡越时间()。

名词解释题基区宽度调制效应