名词解释题基区宽度调制效应

名词解释题
基区宽度调制效应

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相关考题:

晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

双极晶体管的1c7r噪声与()有关。A、基区宽度B、外延层厚度C、表面界面状态

开关整流器稳压的原理是时间比例控制(TRC)原理,既通过改变开关接通时间和工作周期的比例来调整输出电压。其具体方式有()A、脉冲宽度调制方式、脉冲幅度调制方式、脉冲频率调制方式B、脉冲宽度调制方式、脉冲幅度调制方式、混合调制方式C、脉冲幅度调制方式、脉冲频率调制方式、混合调制方式D、脉冲宽度调制方式、脉冲频率调制方式、混合调制方式

SPWM表示的内容是()。A、振幅调制B、脉冲宽度调制C、脉冲频率调制D、正弦脉冲宽度调制

PWM表示的内容是()。A、振幅调制B、脉冲宽度调制C、频率调制D、脉码调制

PWM是()A、脉冲宽度调制B、脉冲频率调制C、脉冲幅度调制D、脉冲位置调制

通过调整脉冲宽度实现稳定输出电压的方法称为()。A、相位调制法B、频率调制法C、幅值调制法D、脉冲宽度调制法

当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时,()可以提高晶体管最大工作电流。A、增大基区掺杂浓度B、减小基区宽度C、减小发射结面积D、增大集电区杂质浓度

造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。()A、基区电导调制效应,发射区有偏压效应B、基区有偏压效应,发射区电导调制效应C、基区电导调制效应,基区有偏压效应D、发射区有偏压效应,基区有偏压效应

晶体三极管的输出特性曲线分为四个区,请问哪个区具有基区宽度调制效应()A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区

在脉冲宽度调制(PWM)技术中,脉冲宽度可以通过何种电路来实现调制?

对于正弦脉冲宽度调制(SPWM),什么是调制信号?什么是载波信号?何谓调制比?

试比较脉冲宽度调制PWM和脉冲频率调制PFM。

脉冲的某一参量(幅度、宽度、重复频率)随调制信号瞬时值变化的调制方式,叫做()。A、脉冲编码调制B、脉冲宽度调制C、脉冲模拟调制D、脉冲振幅调制

DABS应答信号所采用的数据调制方式为()。A、BNR码调制B、脉冲位置调制C、脉冲宽度调制D、DPSK调制

以下不属于脉冲模拟调制的是()。A、脉冲编码调制B、脉冲宽度调制C、脉冲位置调制D、脉冲振幅调制

填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将()全部占据时,集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是()基区宽度、()基区掺杂浓度。

问答题利用纵向电光效应和横向电光效应均可实现电光强度调制,纵向电光调制和横向电光调制各有什么优缺点?

填空题基区渡越时间是指()。当基区宽度加倍时,基区渡越时间增大到原来的()倍。

填空题当集电结反偏增加时,集电结耗尽区宽度会(),使基区宽度(),从而使集电极电流(),这就是基区宽度调变效应()。

填空题在设计与制造晶体管时,为提高晶体管的电流放大系数,应当()基区宽度,()基区掺杂浓度。

填空题在异质结双极晶体管中,发射区的禁带宽度()于基区的禁带宽度,从而使异质结双极晶体管的()大于同质结双极晶体管的。

问答题什么是基区宽变效应,基区宽变效应受哪些因素影响?

多选题时间比率控制(TimE、RA、tioC、ontrol,缩写为TRC、)有以下几种方式()A脉冲宽度调制B脉冲频率调制C脉冲幅值调制D脉冲宽度、频率混合调制

填空题晶体管的基区输运系数是指()电流与()电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生(),从而使基区输运系数()。为了提高基区输运系数,应当使基区宽度()基区少子扩散长度。

单选题水深、航道宽度对岸壁效应的影响如下:().A水深越小,岸壁效应越剧烈;航道宽度越大,岸壁效应越明显B水深越大,岸壁效应越剧烈;航道宽度越大,岸壁效应越明显C水深越小,岸壁效应越剧烈;航道宽度越小,岸壁效应越明显D水深越大,岸壁效应越剧烈;航道宽度越小,岸壁效应越明显

填空题在缓变基区晶体管的基区中会产生一个(),它对少子在基区中的运动起到()的作用,使少子的基区渡越时间()。