4、MOS场效应晶体管（MOSFET）与集成电路的飞速发展有什么关系？

4、MOS场效应晶体管（MOSFET）与集成电路的飞速发展有什么关系？

参考答案和解析
电力场效应晶体管MOSFET是一种单极型大功率晶体管，属于电压控制型元件。其主要优点是基本上无二次击穿现象，开关频率高，输入阻抗大，易于并联和保护，其缺点是导通压降较大，限制了其电流容量的提高。

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下列关于集成电路发展过程中的主要分类说法正确的是()。 A.单极型集成电路以TTL为主B.单极型集成电路以MOS为主C.TTL是双极型集成电路中用得最多的一种D.MOS是双极型集成电路中用得最多的一种
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列举FET、MOSFET、集成电路的焊接注意事项是什么？
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在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
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单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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电力场效应晶体管具有自关断能力，而且具有（）、可以直接与数字集成电路连接.
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MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。
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电力场效应晶体管（MOSFET）有哪些特点？
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SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。
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常用的电子开关有（）。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管
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MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
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电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
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电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
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电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
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下列电路属于单极型器件集成的应是（）.A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路
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单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A有二次击穿B无二次击穿C防止二次击穿D无静电击穿
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单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A电压B电流C电阻D功率
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填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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问答题双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？
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填空题一般认为MOS集成电路功耗低、（），宜用作数字集成电路。
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单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（）条件下工作。A直流B低频C中频D高频
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填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。
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填空题MOS场效应晶体管分为四种基本类型：（）、（）、P沟增强型、P沟耗尽型。
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问答题如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？
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问答题什么是掩模？掩模与集成电路制造有什么关系？制做掩模的数据从哪儿来？
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单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”
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