( )的英文缩写是GTR。 A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管
()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
GTO指的是( )。A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、门极可关断晶闸管
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
电力场效应管MOSFET适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
下列哪项不属于典型全控型器件？（）A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管
在采用电力MOSFET的电路中，采用（）方式换流。A、器件换流B、电网换流C、负载换流D、强迫换流
电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A有二次击穿B无二次击穿C防止二次击穿D无静电击穿
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A电压B电流C电阻D功率
问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
填空题电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
单选题（）的英文缩写是GTR。A电力二极管B门极可关断晶闸管C电力晶体管D电力场效应晶体管