在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
因半导体中掺加的杂质不同,含杂质半导体可分为()型半导体和()型半导体两类。 A、NB、PC、NPND、PNP
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压
加到半导体中的杂质可以分成()种类型,一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生许多带负电的(),这种半导体叫做()半导体。
根据在本征半导体中掺入的杂质不同,可把杂质半导体分为:()和()两大类。
当纳米粒子尺寸下降到某一值时，金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象以及纳米半导体粒子能隙的调制现象，均被称为（）。
加到半导体中的杂质可以分成（）种类型。一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生许多缺少电子的（）。这种半导体叫做（）型半导体。
因半导体中掺加的杂质不同，含杂质半导体可分为（）型半导体和（）型半导体两类。
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）A、变大，变小B、变小，变大C、变小，变小D、变大，变大
在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。
一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。A、高于B、小于C、等于D、无法确定
主要半导体材料是（）和（）；两种载流子是（）和（）；两种杂质半导体是（）和（）。
因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为（）半导体和（）半导体两大类。
杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。A、少子B、多子C、杂质离子D、空穴
在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）A、掺入杂质的浓度B、材料C、温度
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
掺有杂质的半导体称为（）。A、本征半导体B、天然半导体C、杂质半导体D、硅半导体
填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
单选题通常把服从费米分布的半导体称为（）A简并半导体B非简并半导体C杂质半导体D化合物半导体
单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A非本征B本征
单选题对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）A费米能级靠近导带底B空穴为多子C电子为少子D费米能级靠近靠近于价带顶
问答题什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
问答题以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？