在图示电路VCC=12V,已知晶体管的β=80,rbe=1kΩ,电压放大倍数Au是(  )。 A. Au=-4/(20×10^-3)=-200 B. Au=-4/0.7=-5.71 C. Au=-80×5/1=-400 D. Au=-80×2.5/1=-200

在图示电路VCC=12V,已知晶体管的β=80,rbe=1kΩ,电压放大倍数Au是(  )。


A. Au=-4/(20×10^-3)=-200
B. Au=-4/0.7=-5.71
C. Au=-80×5/1=-400
D. Au=-80×2.5/1=-200

参考解析

解析:依据共射极放大电路的等效电路可知,电压放大倍数为:Au=-β(Re//RL)/rbe=-80×(5//5)/1=-80×2.5/1=-200。

相关考题:

在共发射极基本交流放大电路中,已知Ucc=12V,Rc=4kΩ,Rb=300KΩ ,rbe=1kΩ ,β=37.5 试求(1)放大电路的静态值(2)试求电压放大倍数Au。

图示单管放大电路中,设晶体管工作于线性区,此时,该电路的电压放大倍数为:

某晶体管放大电路的空载放大倍数Ak=-80、输入电阻ri=1kΩ和输出电阻r0==3kΩ,将信号源(us=10sinωtmV,Rs=1kΩ)和负载RL=5kΩ)接于该放大电路之后(见图),负载电压u0将为:A.-0.8sinωtVB.-0.5sinωtVC.-0.4sinωtVD.-0.25sinωtV

图示射极输出单管放大电路,已知RB=200kΩ、RL=10kΩ,晶体三极管β=60,交流输入电阻γbe≈1kΩ。求所示单管放大电路的电压放大倍数及放大电路的输入电阻Ri分别为( )。

某晶体管放大电路的空载放大倍数A=-80、输入电阻ri=1kΩ和输出电阻ro=3kΩ,将信号源(us=10sinwtmV,Rs=1kΩ)和负载(RL=5kΩ)接于该放大电路之后(见图),负载电压uo将为: A.-0.8sinwtVB.-0.5sinwtVC.-0.4sinwtVD.-0.25sinwtV

晶体管单管放大电路如图所示,当晶体管工作于线性区时,晶体管的输入电阻为 rbe ,那么该放大电路的输入电阻为:(A)rbe(B)RB1 //RB2//rbe(C)RB1 //RB2//(RE+rbe)(D) RB1 //RB2//(RE+(1+β)rbe)

图所示的射极输出器中,已知Rs=50Ω,RB1=100kΩ,RB2=30kΩ,RE=1kΩ,晶体管的β=50,rbe=1kΩ,则放大电路的Au、r1和r0分别是(  )。A.Au=98,r1=16kΩ,r0=2.1kΩB.Au=9.8,r1=16kΩ,r0=21kΩC.Au=0.98,r1=16kΩ,r0=21kΩD.Au=0.98,r1=16kΩ,r0=2.1kΩ

放大电路如题图(a)所示,晶体管的输出特性曲线以及放大电路的交、直流负载线如题图(b)所示。设晶体管的β=50,UBE=0.7V,放大电路的电压放大倍数Au为(  )。 A. -102.6 B. -88.2 C. -18.9 D. -53

如图所示,已知β=100,rbe=1kΩ,计算放大电路电压放大倍数Au、输入电阻ri和输出电阻ro分别是(  )。A.Au=-6.5,ri=5.2Ω,ro=2kΩB.Au=6.5,ri=5.2Ω,ro=20kΩC.Au=-65,ri=1kΩ,ro=6kΩD.Au=65,ri=200Ω,ro=2kΩ

差分放大电路如图所示,若晶体管VT1、VT2的参数对称,β均为50,rbe均为2.6kΩ。则差模电压放大倍数Aud约为(  )。A.50B.-1C.1.3D.-11

某晶体管放大电路的空载放大倍数Ak=-80、输入电阻ri=1kΩ和输出电阻r0= 3kΩ,将信号源(us=10sinwtmV,Rs =1kΩ)和负载(RL= 5kΩ)接于该放大电路之后(见图),负载电压u0将为:A. -0.8sinwtVB. -0.5sinsinwtVC. -0.4sinwtVD. -0. 25sinwtV

已知某放大电路的电压放大倍数为104,则该电压放大倍数用分贝表示为()A、40dBB、60dBC、80dBD、100dB

负反馈放大电路中,其开环电压放大倍数Au=90,电压反馈系数Fu=0.1,则反馈深度为(),闭环放大倍数为()。

假设n级放大电路的每一级的放大倍数分别为Au1、Au2、Au3......Aun,那么多级放大电路的放大倍数Au=()

晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。

晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。

晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是()。

在放大电路中,直流负反馈不能()A、提高晶体管电流放大系数的稳定性B、提高放大电路的放大倍数C、稳定电路的静态工作点D、提高晶体管电压放大倍数的稳定性

晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie等于()。

在晶体管低频多级放大电路中,其总的电压放大倍数等于()。A、各级放大倍数之和B、各级放大电路中的最大放大倍数C、各级放大倍数之积D、各级放大电路的平均放大倍数与级数之积

放大电路由三级电路组成,已知各级电压的放大倍数为-54、0.98、-20,则总电压放大倍数为74.98。

理想化集成运放的开环电压放大倍数(即无反馈电路)AU→∞。

晶体管放大电路的电压放大倍数,常采用近似计算。

判断题晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。A对B错

填空题晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是()。

判断题晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。A对B错

单选题已知多级放大电路Au1=20dB,Au2=40dB,则电路总的电压放大倍数Au为()dB。A80B800C60D20