晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是()。

晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是()。


相关考题:

当品体管接成共发射极电路,在静态时( )的比值称为共发射极静态放大系数。A.集电极电流Ic与基极电流IbB.集电极电流Ic与发射极电流IeC.发射极电流Ie与基极电流IbD.基极电流Ib与集电极电流Ic

晶体管功率放大器通常是()A、共基极放大电路B、共发射极放大电路C、共集电极放大电路D、甲类功放电路

固定偏置单管电压放大电路,改变基极电阻RB阻值的作用是()A、改变电压放大倍数B、改变电流放大倍数C、稳定静态工作点D、改变静态值,改善放大器的非线性失真

晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为()。A、IB=0B、IB0C、IB0

由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。A、共发射极电路B、共集电极电路C、共基极电路D、三者差不多

晶体管静态放大倍数β表示(),其中用IC表示集电极直流电流,IB表示基极直流电流。A、Ib/ICB、IC/IbC、IC*IbD、I/(IC*Ib)

由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。A、共发射极B、共集电极C、共基级电路D、共集极和共集电极电路

用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时,X轴作用开关应置于基极电压,Y轴作用开关置于基极电流或基极电压。

共发射极电流放大倍数为()。A、集电极电流与基极电流之比B、发射极电流与基极电流之比C、集电极电流与发射极电流之比D、基极电流与集电极电流之比

晶体三极管共发射极电路,放大倍数为50,集电极电流为100mA,基极电流为()A、2mAB、4mAC、5mAD、50mA

由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。A、共发射极B、共集电极C、共基级电路D、共基极和共集电极电路

下列属于共基极放大电路特点的是()。A、电压放大倍数小B、输入、输出电压反相C、电压放大倍数与共发射极相同D、输人电阻小

就单管共发射极放大电路而言,当静态工作点过低(基极电流IB过小)时,输出波形易发生()失真。

晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。

已知放大电路中的一只低频小功率晶体管的静态基极电流为0.047mA,则其微变等效输入内阻为()。A、300ΩB、326ΩC、853ΩD、不能确定

晶体管构成的三种放大电路中,没有电压放大作用但有电流放大作用的是()A、共集电极接法B、共基极接法C、共发射极接法D、以上都不是

晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。

晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。

在共发射极基本放大电路中,为稳定静态工作点,一般在发射极处和基极各增加一电阻。

在放大电路中,直流负反馈不能()A、提高晶体管电流放大系数的稳定性B、提高放大电路的放大倍数C、稳定电路的静态工作点D、提高晶体管电压放大倍数的稳定性

用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时,X轴作用开关应置于基极电压,Y轴作用开关置于基极电流或基极源电压。

在共发射极晶体管的放大电路中,当加有输入信号(动态)时,集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极()放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功

在共发射极晶体管的放大电路中,当无输入信号(静态)时,集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极()放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功

单选题晶体管功率放大器通常是()A共基极放大电路B共发射极放大电路C共集电极放大电路D甲类功放电路

判断题晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。A对B错

判断题晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。A对B错

填空题晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是()。