膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位() A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+
膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。
(备选答案)A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+1.促使轴突末梢释放神经递质的离子是2.可产生抑制性突触后电位的离子基础是3.静息电位产生的离子基础是
抑制性突触后电位产生的离子机制是A．Na+内流B．K+勾流C．Ca2+内流D．K+外流E．C1-内流
可产生抑制性突触后电位的离子基础是A．K+B．Na+C．Ca2+D．Cl-E．H+
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A．K+B．Na+C．Ca2+D．Cl-E．Mg2+
抑制性突触后电位产生的离子机制主要是A．Na+内流B．K+外流C．Ca2+内流D．Cl-内流E．Na+内流和K+外流
可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl—E.Mg2+
可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-E. H+
A.KB.NaC.CaD.ClE.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是
可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-E. H+
抑制性突触后电位产生的离子机制是A. Na+内流B. K+内流C. Ca 2+内流D. Cl -内流E. K+外流
可产生抑制性突触后电位的离子基础是A．K+ B．Na+ C．Ca2+ D．Cl- E．H+
A.NaB.ClC.MgD.CaE.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.Cl-C.Na+D.K+E.Mg2+
膜主要对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位 （ ）A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）A、Na+内流B、K+内流C、Ca2+内流D、Cl-内流E、K+外流
焊接电弧三个部分作用描述正确的是（）。A、阴极发射电子，阳极产生正离子B、阴极提供电子流和接受正离子流C、阳极接受电子流和提供正离子流D、弧柱起电子流和正离子流的导电通路作用
单选题膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位？（ ）ABCDE
单选题下列哪项是抑制性突触后电位产生的离子机制?（ ）ANa+内流BK+内流CCa2+内流DCl－内流EK+外流
单选题抑制性突触后电位产生的离子机制是（）ANa+内流BK+内流CCa2+内流DCl-内流EK+外流
单选题产生抑制性突触后电位时，突触后膜对哪种离子通透性升高？（ ）ABCDE
单选题抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。ANa+内流BK+内流CCa2+内流DClˉ内流EK+外流
单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）AK+BH+CCa2+DCl-ENa+
单选题抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关（）ACl—BK+CNa+DFe2+ECa2+