应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A、CCD检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）

  • A、CCD检测器
  • B、IP成像转换器
  • C、直接转换平板探测器
  • D、间接转换平板探测器
  • E、多丝正比室检测器

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应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.硒鼓检测器B.CR成像板(IP)C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
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应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器
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FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是A、薄膜晶体管技术B、光敏照相机技术C、光电倍增管技术D、光激励发光技术E、非晶硒技术
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关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同
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FPD能够成为平板形状，主要是由于探测器的单元阵列采用的是A.薄膜晶体管技术B.光敏照相机技术C.光电倍增管技术D.光激励发光技术E.非晶硒技术
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应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.砸鼓检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
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FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是A.薄膜晶体管技术B.光敏照相机技术C.光电倍增管技术D.光激励发光技术E.非晶硒技术
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关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是（）A、使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B、典型材料为非晶硒（a-SE.C、每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元D、非晶硒层直接将X线转换成电信号E、与非晶硅探测器的工作原理相同
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属于DR成像直接转换方式的是（）A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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属于DR成像直接转换方式的部件是（）A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
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应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓探测器，B、IP成像转换器，C、直接转换平板探测器，D、间接转换平板探测器，E、多丝正比室检测器
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单选题非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于（　　）。A信号读出B荧光材料层和探测元阵列层的不同CA/D转换D信号输出E信号放大
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单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是（　　）。A非晶硅-非晶硒-CCDBCCD-非晶硅-非晶硒C非晶硒-非晶硅-CCDD非晶硅-CCD-非晶硒ECCD-非晶硒-非晶硅
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单选题FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是（）.A薄膜晶体管技术B光敏照相机技术C光电倍增管技术D光激励发光技术E非晶硒技术
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单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）。A硒鼓检测器BIP成像转换器C直接转换平板探测器D间接转换平板探测器E多丝正比室检测器
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单选题非晶硅平板探测器基本结构为（　　）。A碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
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单选题目前最常用的DR系统为（　　）。ACsI＋CCD阵列B非晶硅平板探测器C非晶硒平板探测器D多丝正比电离室E计算机X线摄影
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单选题属于DR成像直接转换方式的是（）A非晶硒平扳探测器B碘化铯+非晶硅平扳探测器C利用影像板进行X线摄影D闪烁体+CCD摄像机阵列E硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是（　　）。A闪烁体B非晶硒平板探测器CCCD摄像机阵列D碘化铯＋非晶硅探测器E半导体狭缝线阵列探测器
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多选题DSA非晶硅平板探测器的构成。（）A碘化铯构成的闪烁体层BCCD层C信号读出电路D石英玻璃衬体E非晶硅薄膜晶体管阵列层
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