放大器上限频率（高频特性）的存在是由于( )的影响造成的。A.耦合电容B.旁路电容C.电阻D.晶体管电容
当用专用输出结构的PAL设计时序逻辑电路时,必须还要具备有() A、触发器B、晶体管C、MOS管D、电容
影响放大电路高频特性的主要因素是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体极间电容和分布电容的存在C、半导体的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
PN结的主要特性是()。A.单向导电性、电容效应B.电容效应、击穿特性C.单向导电性、击穿特性D.单向导电性、电容效应、击穿特性
决定RC串联正弦波发生器振荡频率的器件有电阻、（）。A、电脉冲B、电容C、电感D、晶体管
用MOS器件构成的随机存取存储器RAM分为SRAM和DRAM两种，其中DRAM以电容来存储信息，需要定期进行（）
PN结的主要特性是（）。A、单向导电性、电容效应B、电容效应、击穿特性C、单向导电性、击穿特性D、单向导电性、电容效应、击穿特性
动态RAM的基本存储电路是（）。A、双稳态触发器B、电容器C、MOS管D、晶体管
动态RAM存储信息依靠的是（）。A、电容B、双稳态触发器C、晶体管D、磁场
工作电容是指回线两导体之间的电容，工作电容是电缆电气特性的一个主要参数。
开关电容滤波器包含：（）。A、MOS开关B、MOS运放C、电容D、电阻
下列元、器件中有源器件是（）A、电阻器B、电容器C、普通二极管D、电池E、晶体管
正弦波振荡电路的频率应决定于选聘网络，而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。
放大电路在信号的高频段时，放大倍数下降的原因是（）A、耦合电容和旁路电路的存在B、晶体管极间电容和分布电容的存在C、晶体管非线性的影响D、放大电路的静态工作点设置不合理
影响放大电路高频特性的主要因素是（）A、耦合电容和旁路电容的存在B、放大电路的静态工作点不合适C、半导体管的非线性特性D、半导体管极间电容和分布电容的存在
SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（）。A、耦合电容和旁路电容的影响B、晶体管极间电容和分布电容的影响C、晶体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点设置不合适
下列元、器件中有源器件是（）A、电阻器B、电容器C、晶体管
绝缘栅双极晶体管属于（）型器件。A、电阻B、电压C、电流D、电容
影响放大器下限频率fL的因素是（）。A、晶体管β值B、晶体管α值C、PN结电容D、耦合电容
温度稳定放大器中决定增益的主要器件是（）。A、运放B、热敏电阻C、电容
单结晶体管触发电路输出的脉冲宽度主要决定于（）A、单结晶体管的特性B、电源电压的高低C、电容的放电时间常数D、电容的充电时间常数
晶体管电路中极间电容和由于导线排列不合理引起的电容，都属于寄生电容。
问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
单选题绝缘栅双极晶体管属于（）型器件。A电阻B电压C电流D电容
判断题工作电容是指回线两导体之间的电容，工作电容是电缆电气特性的一个主要参数。A对B错