简要说明晶型沉淀的沉淀条件。

简要说明晶型沉淀的沉淀条件。


相关考题:

用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质

沉淀重量法要求沉淀应具备的条件为( )。A.溶解度小B.沉淀纯净C.易于过滤与洗涤D.易于转化为称量形式E.应为晶型沉淀

沉淀完成后进行陈化是为了()。 A、使无定形沉淀转变为晶形沉淀B、使沉淀更为纯净,同时使颗粒变大C、除去混晶共沉淀带入的杂质D、加速后沉淀作用

重量分析中,得到较大的晶型沉淀时,其生成沉淀的聚集速度小于定向速度。() 此题为判断题(对,错)。

重量分析中要求沉淀物要纯净,()。A、沉淀中不能含有水分子B、沉淀式与称量式完全一致C、沉淀为晶型沉淀D、要避免杂质的沾污

晶型沉淀的条件是()、()、()、()。

下列不是晶型沉淀所要求的沉淀条件的是()。A、沉淀作用宜在较浓溶液中进行B、应在不断的搅拌下加入沉淀剂C、沉淀作用宜在冷溶液中进行D、应进行沉淀的陈化

在重晶石分析中为了获得理想的BaSO4晶型沉淀,必须按照哪些条件进行?

如何控制沉淀条件以获得晶型沉淀?

造成后沉淀的原因,说法错误的是()。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液

试说明晶形沉淀和无定形沉淀的沉淀条件。

用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是()。A、混晶共沉淀B、吸附共沉淀C、包藏共沉淀D、后沉淀

沉淀被沾污的原因有()A、表面吸附B、混晶C、包藏D、后沉淀

简要说明有机溶剂沉淀法的基本原理

获得晶型沉淀控制的主要条件是什么?

如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀

简要说明晶形沉淀及非晶形沉淀的条件.

简要说明无定型沉淀的沉淀条件。

共沉淀分离根据共沉淀剂性质可分为混晶共沉淀分离和胶体凝聚共沉淀分离。

在晶型沉淀的沉淀过程中,若加入沉淀剂过快,除了造成沉淀剂局部过浓影响晶型外,还会发生吸留现象。

减少或消除混晶沉淀的方法是在沉淀时加入沉淀剂的酸度慢,沉淀进行陈化。

在晶型沉淀的沉淀过程中,需要快速的加入沉淀剂。

问答题在重晶石分析中为了获得理想的BaSO4晶型沉淀,必须按照哪些条件进行?

填空题晶型沉淀的条件是()、()、()、()。

问答题简要说明晶形沉淀及非晶形沉淀的条件.

问答题简要说明有机溶剂沉淀法的基本原理

单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A表面吸附B混晶C机械吸留D后沉淀