下列不是晶型沉淀所要求的沉淀条件的是()。A、沉淀作用宜在较浓溶液中进行B、应在不断的搅拌下加入沉淀剂C、沉淀作用宜在冷溶液中进行D、应进行沉淀的陈化

下列不是晶型沉淀所要求的沉淀条件的是()。

  • A、沉淀作用宜在较浓溶液中进行
  • B、应在不断的搅拌下加入沉淀剂
  • C、沉淀作用宜在冷溶液中进行
  • D、应进行沉淀的陈化

相关考题:

用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质

沉淀重量法要求沉淀应具备的条件为( )。A.溶解度小B.沉淀纯净C.易于过滤与洗涤D.易于转化为称量形式E.应为晶型沉淀

指出下列哪一条不是晶形沉淀所要求的沉淀条件() A.沉淀作用宜在较稀溶液中进行B.应在不断地搅拌作用下加入沉淀剂C.沉淀应陈化D.沉淀宜在冷溶液中进行

重量分析中,得到较大的晶型沉淀时,其生成沉淀的聚集速度小于定向速度。() 此题为判断题(对,错)。

重量分析中要求沉淀物要纯净,()。A、沉淀中不能含有水分子B、沉淀式与称量式完全一致C、沉淀为晶型沉淀D、要避免杂质的沾污

晶型沉淀的条件是()、()、()、()。

沉淀完全后应进行陈化是()所要求的沉淀条件。A、非晶形沉淀B、晶形沉淀和非晶形沉淀C、非晶形沉淀和均相沉淀D、晶形沉淀

下列叙述哪些是错误的?()A、沉淀反应后立即过滤可防止后沉淀B、沉淀的表面吸附作用是由于表面离子的力场未饱和所致C、进行陈化操作可减少混晶共沉淀D、AnS在HgS沉淀表面上而不在BaSO4沉淀表面上后沉淀

在重晶石分析中为了获得理想的BaSO4晶型沉淀,必须按照哪些条件进行?

如何控制沉淀条件以获得晶型沉淀?

造成后沉淀的原因,说法错误的是()。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液

下列各条件中何者不是晶形沉淀所要求的沉淀条件()。A、沉淀作用宜在较浓溶液中进行B、应在不断的搅拌下加入沉淀剂C、沉淀作用宜在热溶液中进行D、应进行沉淀的陈化

用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是()。A、混晶共沉淀B、吸附共沉淀C、包藏共沉淀D、后沉淀

下列各条件中何者是晶形沉淀所要求的沉淀条件()A、沉淀作用在较浓溶液中进行B、在不断搅拌下加入沉淀剂C、沉淀在冷溶液中进行D、沉淀后立即过滤

下列说法正确的有()。A、无定形沉淀要在较浓的热溶液中进行沉淀,加入沉淀剂速度适当快。B、沉淀称量法测定中,要求沉淀式和称量式相同。C、由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。D、可以将AgNO3溶液放入在碱式滴定管进行滴定操作。

下列哪种情况是均匀沉淀法不能达到的目的()A、避免局部过浓B、沉淀均匀、缓慢的析出C、生成颗粒粗大的沉淀D、防止生成混晶共沉淀

获得晶型沉淀控制的主要条件是什么?

如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀

简要说明晶型沉淀的沉淀条件。

沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。

在晶型沉淀的沉淀过程中,若加入沉淀剂过快,除了造成沉淀剂局部过浓影响晶型外,还会发生吸留现象。

减少或消除混晶沉淀的方法是在沉淀时加入沉淀剂的酸度慢,沉淀进行陈化。

在晶型沉淀的沉淀过程中,需要快速的加入沉淀剂。

问答题在重晶石分析中为了获得理想的BaSO4晶型沉淀,必须按照哪些条件进行?

填空题晶型沉淀的条件是()、()、()、()。

多选题下列说法正确的有()。A无定形沉淀要在较浓的热溶液中进行沉淀,加入沉淀剂速度适当快。B沉淀称量法测定中,要求沉淀式和称量式相同。C由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。D可以将AgNO3溶液放入在碱式滴定管进行滴定操作。

单选题指出下列哪一条不是晶形沉淀所要求的沉淀条件()A沉淀作用宜在较稀溶液中进行B应在不断地搅拌作用下加入沉淀剂C沉淀应陈化D沉淀宜在冷溶液中进行