若试品的电容量为10000pF,测量介损tgδ时加压10kV,试验变压器容量选择应不小于()kVA。A、0.05B、0.5C、1.0D、1.5E、2.0

若试品的电容量为10000pF,测量介损tgδ时加压10kV,试验变压器容量选择应不小于()kVA。

  • A、0.05
  • B、0.5
  • C、1.0
  • D、1.5
  • E、2.0

相关考题:

计算题:用QS1电桥测量110KV套管介损tg时,试验电压为10KV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算CX之值。(R4为定值3184Ω)

在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?

采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。

试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关

分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时,应特别注意哪些外界因素的影响?

当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,描述正确的是()。A、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小,对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是

分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn,则并联在一起测得的介损值为这些值中的()。A、最小值B、平均值C、最大值D、介于最大与最小值之间

用额定电压10kV的试验变压器,测量电容量为20000pF试品的tgδ时,在下列试验变压器容量中最小可选择()kVAA、0.5B、1C、1.5D、2

试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关

计算题:若采用电压,电流表法测量10KV,334KVar的电容器的电容量,试计算加压为200V时电流表读数是多少?

进行电容型试品末屏介损测量时,期试验电压一般不应超过(2)kV。

使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF,加压10kV,电桥分流器的位置选择哪一档为宜()。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15

用QS1型西林电桥测量介损时,怎样选择分流器位置?若被试品电容量约为4000pF(U=10kV)分流器应在何位置?

测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样,试品的表面泄漏对测量结果有一定影响,并且()。A、试品电容量较大,影响较小B、试品电容量较大,影响较大C、与试品电容量无关

用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)

用介损仪反接线测量小电容量试品(<50PF)的介损tgδ及Cx时,在附近处有物体(如梯子等)情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值()。A、大B、相等C、小D、以上均不是

测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时,如试品周围近距离内有大面积接地物体(墙壁、构架、栅栏等),通过()耦合,会影响测量结果的真实性;对大电感试品,应将线圈首尾(),以消除电感、电容对测量准确度的影响。

在现场相同条件下(好天气),用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。

使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV,电桥分流器的位置选择()档为宜。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15

在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。

若采用电压、电流表法测量UN=10kV、QC=334kvar的电容器的电容量,试计算加压在Us=200V时,电流表的读数I应是多少?

单选题若试品的电容量为10000pF,加10kV电压测量介损,试验变压器的容量选择应不小于()A2.0kVAB0.5kVAC1.0kVAD0.1kVA

单选题试品电容量约15000pF,使用QS1型西林电桥,施加10kV测量其tgδ时,电桥分流器位置宜选定在()档位置A0.01B0.025C0.06D0.15

单选题试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()A试品电容量越大,影响越大B试品电容量越小,影响越小C试品电容量越小,影响越大D与试品电容量的大小无关

单选题试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A试品电容量越大,影响越大B试品电容量越小,影响越小C试品电容量越小,影响越大D与试品电容量的大小无关