用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)

用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)


相关考题:

计算题:用QS1电桥测量110KV套管介损tg时,试验电压为10KV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算CX之值。(R4为定值3184Ω)

使用QS1电桥测量tgδ时,接通或断开电源时,检流计灵敏度应在()。

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,造成-tanØ值出现的原因有()A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时,套管表面脏污

现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。

采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。A、自激法B、末端加压法C、末端屏蔽法

在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。

变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时,测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。A、10B、15C、20D、25

测量高压设备绝缘介质损失角正切值tg,一般使用的试验设备是()。A、QS1型西林电桥B、欧母表C、电压表D、兆欧表

用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时,当具备电压等级足够的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10kVB、1.1倍相电压C、2.2倍相电压D、线电压

用QS1型西林电桥测量介损时,怎样选择分流器位置?若被试品电容量约为4000pF(U=10kV)分流器应在何位置?

测量CVT分接电容C2的介损和电容量时,C2的“δ”点接介损电桥的高压端,主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端,用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限,为保护“δ”,试验电压不超过()。A、10000VB、5000VC、2500VD、1000V

在现场测量介损tgδ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。

测量tgδ时,为何要选择QS1电桥的分流位置?

采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时,可选择接线方法是()。A、自激法B、它激法C、未端加压法D、未端屏蔽法

用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。

用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。

用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ,应采用何种接线?如何接线?

用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。

测量一台110kV电力变压器,高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ,当tgδ不合格时,一般表明其高压套管tgδ不合格。

用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些?

用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10KvB、1.1倍相电压C、线电压

问答题用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时,试验电压为10千伏,标准电容CN为50皮法,电桥平衡时,R3为345欧,计算Cx之值(R4为定值3184欧)。

判断题用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。A对B错

判断题现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮,当出现较大电场干扰时,则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下,所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。A对B错

填空题在现场测量介损tgσ时,如果试验电源的电压波形不好,含有较大的()分量,则电桥很难()。

问答题一台变压器,用QS1交流电桥测量高压绕组对其他绕组及地的介质损耗tgδ和Cx时,已知试验电压为10KV,标准电容CN为50皮法,分流器在0.06档,电桥平衡时,R3为64欧,e为0.4欧,tgδ为0.8%,试计算Cx之值(R4为3184欧)。

单选题试品电容量约15000pF,使用QS1型西林电桥,施加10kV测量其tgδ时,电桥分流器位置宜选定在()档位置A0.01B0.025C0.06D0.15