用介损仪反接线测量小电容量试品(<50PF)的介损tgδ及Cx时,在附近处有物体(如梯子等)情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值()。A、大B、相等C、小D、以上均不是

用介损仪反接线测量小电容量试品(<50PF)的介损tgδ及Cx时,在附近处有物体(如梯子等)情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值()。

  • A、大
  • B、相等
  • C、小
  • D、以上均不是

相关考题:

在相同条件下,用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )

计算题:用QS1电桥测量110KV套管介损tg时,试验电压为10KV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算CX之值。(R4为定值3184Ω)

在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?

用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。

测得220kV电流互感器主电容量为1000PF,介损tgδ值为0.6%,在1.15倍的额定电压下,介质的功率P约为()。A、30WB、40WC、50WD、60W

试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关

用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时,其电容量应是整体电容量的()。A、1/8B、1/4C、1/2D、1/6

测量被试设备的介损值,应该使用()。A、直流发生器B、交流耐压装置C、电容电桥测试仪D、介质损耗测量仪

当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn,则并联在一起测得的介损值为这些值中的()。A、最小值B、平均值C、最大值D、介于最大与最小值之间

变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时,测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。A、10B、15C、20D、25

电容型设备相对介质损耗因数是指()。A、被试设备与参考设备介损值的差值B、被试设备与参考设备介损值的比值C、参考设备与被试设备介损值的差值D、参考设备与被试设备介损值的比值

介质损耗测试主要试验步骤有()。A、将被试品断电,先充分放电后有效接地B、检查电容量及介质损耗测试仪是否正常C、根据被试品类型及内部结构选择相应的接线方式,被试品试验接线并检查确认接线正确D、设置试验仪器参数(试验电压值、接线方式),升压至试验电压后读取电容值和介损值E、降压至零,然后断开电源,充分放电后拆除接线,恢复被试设备试验前接线状态,结束试验

测量变压器整体对地介损tgδ,可采用介损仪正接线及反接线。

测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样,试品的表面泄漏对测量结果有一定影响,并且()。A、试品电容量较大,影响较小B、试品电容量较大,影响较大C、与试品电容量无关

用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)

测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时,如试品周围近距离内有大面积接地物体(墙壁、构架、栅栏等),通过()耦合,会影响测量结果的真实性;对大电感试品,应将线圈首尾(),以消除电感、电容对测量准确度的影响。

用反接线测量电磁式电流互感器的介损,一次加压,二次开路,对其测量介损tgδ值影响不大。

测量CVT分接电容C2的介损和电容量时,C2的“δ”点接介损电桥的高压端,主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端,用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限,为保护“δ”,试验电压不超过()。A、10000VB、5000VC、2500VD、1000V

在现场相同条件下(好天气),用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。

在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。

小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。

用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。

使用高压电桥测量耦合电容器(包括断路器的断口均压电容器)的介损和电容时,宜采用(),反接线测量误差较()。A、反接;小B、正接;大C、反接;大D、正接;小

测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时,有末屏的应尽量使用()进行测量。A、正接线B、反接线C、自激法D、末屏加压法

单选题试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A试品电容量越大,影响越大B试品电容量越小,影响越小C试品电容量越小,影响越大D与试品电容量的大小无关