根轨迹的分离、会合点位于（）。A、虚轴上B、实轴上C、以共轭形式成对出现在复平面中D、坐标轴上

根轨迹的分离、会合点位于（）。

  • A、虚轴上
  • B、实轴上
  • C、以共轭形式成对出现在复平面中
  • D、坐标轴上

相关考题：

什么是系统的根轨迹,和常规根轨迹?
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通常以开环根轨迹增益为可变参数,或负反馈系统的根轨迹称为广义根轨迹。() 此题为判断题(对，错)。
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根轨迹是以实轴为对称的,故根轨迹的分离、会合点均位于实轴上。() 此题为判断题(对，错)。
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分离点与会合点实际上是闭环特征方程的重根。() 此题为判断题(对，错)。
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当根轨迹分支在实轴上某点相遇又向复平面运动时,该交点称为根轨迹的()。 A.相遇点B.分离点C.分离极点D.会合点
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以下关于根轨迹的描述正确的是( )。 A根轨迹起点是开环极点，终点是开环零点B根轨迹渐近线对称于实轴C分离点一定位于实轴上D分支数与开环有限零、极点中大者相同
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根轨迹的分离、会合点位于()。 A.虚轴上B.实轴上C.以共轭形式成对出现在复平面中D.坐标轴上
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有关分离点与会合点下列说法错误的是（）。A、分离点与会合点一般是实数或共轭复数对B、若实轴上两相邻极点间存在根轨迹，则这两相邻极点间必有分离点C、若实轴上两相邻零点间存在根轨迹，则这两相邻极点间必有会合点D、若实轴上根轨迹处在开环邻零点和极点之间，则二者之间必定有分离点和会合点
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绘制根轨迹时，我们通常是从Kg＝0时的闭环极点画起，即开环极点是闭环根轨迹曲线的起点。起点数n就是根轨迹曲线的条数。
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若相邻两极点间有根轨迹，则必有（）；若相邻两零点间有根轨迹，则必有（）；分离点实际上是相同的闭环特征值，即特征方程有（）。
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下面有关对根轨迹的描述，说法正确的是（）。A、根轨迹是一种图解方法B、根轨迹避免了求解高阶系统特征方程的困难C、根轨迹可以直观看出系统中某些参数的变化对控制系统闭环特征根分布影响的趋势D、根轨迹在工程上得到了广泛的应用
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在根轨迹的条件方程中，（）条件是决定根轨迹的充分必要条件。
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两条或两条以上的根轨迹分支在复平面上相遇又立即分开的点，称为根轨迹的：（）A、与虚轴的交点B、起始点C、渐近线与实轴的交点D、分离点
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根轨迹实轴上的会合点（或分离点）
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什么是常规根轨迹？什么是参数根轨迹？
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根轨迹上的点应该同时满足两个条件，它们是（），绘制零度根轨迹时，需要将常规根轨迹法则中与（）条件有关的规则加以修改。
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参变量根轨迹也称为参数根轨迹。
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有关分离点与会合点下列说法错误的是是（）A、分离点与会合点一般是实数或共轭复数对B、若实轴上两相邻极点间存在根轨迹，则这两相邻极点间必有分离点C、若实轴上两相邻零点间存在根轨迹，则这两相邻极点间必有会合点D、若实轴上根轨迹处在开环邻零点和极点之间，则二者之间必定有分离点和会合点
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根据绘制根轨迹的基本法则，下面说法正确的有（）。A、根轨迹是连续变化的曲线或直线B、根轨迹的分支数与开环传递函数无关C、根轨迹以开环极点为起点，以开环有限值零点或无穷远处为终点D、相邻两开环极点之间存在根轨迹则这两相邻极点间必有分离点
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根据根轨迹绘制法则，根轨迹的起点起始（），根轨迹的终点终止（）。
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增加一个开环极点，对系统的根轨迹有以下影响（）。A、改变根轨迹在实轴上的分布B、改变根轨迹渐近线的条数、倾角和截距C、改变根轨迹的分支数D、根轨迹曲线将向左移动，有利于改善系统的动态性能
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分离点与会合点实际上是闭环特征方程的重根。
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闭环极点若为实数，则位于[s]平面实轴；若为复数，则共轭出现。所以根轨迹（）。A、对称于实轴B、对称于虚轴C、位于左半[s]平面D、位于右半[s]平面
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确定系统根轨迹的充要条件是（）。A、根轨迹的模方程B、根轨迹的相方程C、根轨迹增益D、根轨迹方程的阶次
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根轨迹的分离点或会合点是特征方程的（）。A、重根B、实根C、共轭虚根
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一般情况下，两个极点间的根轨迹上至少有一个分离点。
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单选题根轨迹的分离点或会合点是特征方程的（）。A重根B实根C共轭虚根
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