GaAs以及InP的禁带宽度分别为();(),与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。

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动态补偿力矩与带材宽度、卷材卷径及带材加速度有关,尤其与带材宽度关系最大。() 此题为判断题(对,错)。

对ZnO性质和应用描述错误的是()。 A、禁带宽度比较大B、间接带隙C、可以作蓝光LEDD、可以作透明电极

短路全电流ik是短路电流周期分量ip与短路电流非周期分量inp之和。A对B错

禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受

氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。

氢化非晶硅的禁带宽度可调,含氢量增加,禁带宽度();在非晶硅中掺入Ge元素,其禁带宽度()。

在使用磁性套索工具创建选区时,要将磁性套索边缘宽度减小或增大1个像素,需要按下的按键()A、分别为[、]B、分别为(、)C、分别为{、}D、分别为、

与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是()。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴,导带中总是有电子D、禁带宽度较窄

护轨平直段轮缘槽宽度以及辙叉翼轨与心轨平行段的轮缘槽宽度的允许误差均为()毫米。A、+3、-3B、+3、-2C、+3、-1

在同质结结构中,为了得到20%以上的高效率,必须让结合深度在()以下的浅层处,因此在异质表面结构中,通入插入宽禁带宽度的窗层,增加结合深度高定的自由度,就可以实现高效率。

InP电池片的转换效率是()。

高效率太阳能电池有PERL和()两种结构的。A、CISB、CIGSC、OECOD、GaAs

为了实现光电转换效率高的太阳能电池,太阳光谱的整合是必要的,太阳能电池材料的禁带宽度Eg为()左右,认为是最合适的,Eg为()的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

CIS的禁带宽度为(),是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值

GaAs或InP太阳能电池由于()且有(),作为空间太阳能电池已被实用化。

关于反向饱和电流密度,以下说法中错误的是()A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B、在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C、p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

就汽车制造厂来说,如果生产轿车、卡车和大客车三类产品,而每一类产品又分别有三种、四种、五种型号,那么这个厂的产品宽度与深度分别为()A、宽度为3,轿车、卡车、大客车的深度分别为3、4、5B、宽度为3,深度为12C、轿车、卡车、大客车的宽度分别为3、4、5,深度为3D、宽度与深度都为3

某企业生产的产品有冰箱、冷柜、空调三大类,其中:冰箱有四种型号,冷柜有两种型号,空调有五种型号。据此可以推知:()A、该企业产业品线的宽度为3,冰箱、冷柜与空调各产品线的深度分别为4、2、5B、该企业产品线的宽度与深度分别为3和11C、该企业产品线的宽度与深度分别为11和3D、该企业冰箱、冷柜与空调各产品线的宽度分别为4、2与5

公路路基宽度为车道宽度与路肩宽度之和,当设置有中间带时应计入这部分宽度

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布里渊区的界面附近,费米面和能级密度函数有何变化规律?哪些条件下会发生禁带重叠或禁带消失现象?试分析禁带的产生原因。

问答题Si、GaAs、InP三种基本半导体材料中,电子迁移率最高的是哪种?最低的是哪种?

单选题半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带,导带B价带,禁带C禁带,导带D导带,价带

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名词解释题禁带宽度

单选题在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其()。A禁带较窄B禁带较宽C禁带是间接跃迁型D禁带是直接跃迁型

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